[发明专利]基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统在审

专利信息
申请号: 201810653030.0 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN108965752A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 余达;刘金国;徐东;李广泽;赵莹;王冶;吕世良 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745
代理公司: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 代理人: 朱红玲
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 多谱段 尺寸探测器 阱电荷 虚拟 成像控制器 外部存储器 模拟电荷 数字域 叠加 成像系统 工作时序 积分方向 积分过程 控制方式 曝光成像 数据缓存 图像数据 信噪比 探测器 分区 输出
【说明书】:

基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统,涉及一种基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统,本发明解决现有的小像元存在满阱电荷数过低,信噪比不高的问题,包括多谱段TDI CMOS探测器、成像控制器和外部存储器;成像控制器产生多谱段TDI CMOS探测器的工作时序,进行TDI工作模式的控制,同时接收多谱段TDI CMOS探测器输出的经过了模拟电荷域TDI叠加的多谱段图像数据,采用外部存储器进行数字域TDI工作模式叠加;采用模拟电荷域TDI结合数字域TDI的方式来突破小像元尺寸的满阱电荷数少的约束,设计分区曝光成像的TDI CMOS探测器结构,根据TDI积分方向和TDI级数选择设计TDI积分过程的控制方式和数据缓存方法,形成虚拟的大满阱电荷数的TDI CMOS图像探测器成像系统。

技术领域

本发明涉及一种基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统。

背景技术

在相同地面像元分辨率的航天应用中,像元尺寸的减小,带来的好处是对应的焦距就越短,从而可降低整个光机结构的体积和重量。但现有技术下直接应用小像元尺寸的探测器,带来的问题是探测器满阱电荷数的减小,而满阱电荷的根号值就是最大信噪比的极限值,因此即使在好的光照条件和高的TDI级数下也不能获得高的信噪比,由于探测器过早接近饱和了,因此现有的小像元尺寸应用存在信噪比过低的问题。目前在更小像元的手机应用中,通常采用双摄方案来提高信噪比,另一种方案就是通过多帧图像的数字域累加。

发明内容

本发明为解决现有的小像元存在满阱电荷数过低,信噪比不高的问题,提供一种基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统。

基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统,包括多谱段TDI CMOS探测器、成像控制器和外部存储器;所述成像控制器产生多谱段TDI CMOS探测器的工作时序,进行TDI工作模式的控制,同时接收多谱段TDI CMOS探测器输出的经过了模拟电荷域TDI叠加的多谱段图像数据,采用乒乓结构的外部存储器进行数字域TDI工作模式叠加;

设定p谱段分布在多谱段TDI CMOS探测器边缘,该谱段包括n个区域,每个区域最大实现m级模拟电荷域TDI工作模式,且每个区域能独立输出电荷并进行量化输出;m、n均为大于1的正整数;

设定b谱段像元尺寸为p谱段像元尺寸的k倍,每个谱段仅存在一个感光区域;所述k为大于1的正整数;

设定地面景物经过TDI CMOS探测器时,p谱段获得的所述探测器内累加的电荷up用下式表示为:

式中A为探测器的像元面积,texp为探测器的在轨的行周期,ηλ为在探测器中心波长为λ的谱段内的积分量子效率,EO(λ)为探测器像面的典型照度,h为普朗克常量,c为光速。

本发明的有益效果:

1、在相同的地面像元分辨率下使用小像元尺寸,可缩短光学系统的焦距,从而缩小整个成像系统的体积和重量;

2、突破小像元尺寸带来的小满阱电荷数的限制,通过几个分区的同时曝光可提高等效的满阱电荷数,从而将信噪比提高到原来的倍。

3、在积分模式上,当探测器内累加的电荷在未达到探测器p谱段单个像素的满阱电子数um前,即:采用模拟电荷域的TDI积分;接近um后,即:才开始使用数字域的TDI积分,这样可保证在电荷累积的过程中尽量减小读出噪声的累加次数,从而提高信噪比。

附图说明

图1为本发明所述的基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统中多谱段TDI CMOS探测器的结构图;

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