[发明专利]高压元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压元件，包含：

一半导体层，形成于一基板上，该半导体层于一垂直方向上，具有相对的一上表面与一下表面；

一绝缘结构，形成于该上表面上并连接于该上表面，用以定义一操作区；

一漂移氧化区，形成于该上表面上并连接于该上表面，且位于该操作区中的一漂移区上并连接于该漂移区；

一阱区，具有一第一导电型，形成于该半导体层的该操作区中，且于该垂直方向上，该阱区位于上表面下并连接于该上表面；

一本体区，具有一第二导电型，形成于该操作区的该阱区中，且于该垂直方向上，该本体区位于该上表面下并连接于该上表面，该本体区具有一第一杂质浓度；

一本体极，具有该第二导电型，用以作为该本体区的一电气接点，于该垂直方向上，该本体极形成于该上表面下并连接于该上表面的该本体区中，该本体极包括一主本体极以及至少一子本体极；

一缓冲区，具有该第二导电型，形成于该操作区的该阱区中，且于该垂直方向上，该缓冲区位于该上表面下并连接于该上表面，该缓冲区于该半导体层中的该上表面下，包覆所有该本体区的外围，且该缓冲区的一第二杂质浓度低于该第一杂质浓度；

一栅极，形成于该半导体层的该上表面上的该操作区中，由俯视图视之，该栅极大致为沿着一宽度方向上而延伸的长方形，且于该垂直方向上，部分该本体区与该缓冲区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压元件在一导通操作中的一反转电流通道；以及

一源极与一漏极，具有该第一导电型，于该垂直方向上，该源极与该漏极形成于该上表面下并连接于该上表面的该操作区中，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中，且于一通道方向上，该漂移区位于该漏极与该缓冲区之间，连接该上表面的该阱区中，用以作为该高压元件在该导通操作中的一漂移电流通道，且于该垂直方向上，该源极与该漏极位于该上表面下并连接于该上表面；

其中，由俯视图视之，该主本体极与该源极相邻接，并分别大致上为沿着该宽度方向上而延伸的长方形，且该源极介于该主本体极与该栅极之间，该子本体极自部分该主本体极在该通道方向上，向该栅极延伸，接触到该反转电流通道；

其中，该源极、该本体区及该缓冲区、以及该阱区组成一寄生晶体管，且该子本体极提供一热载子吸收通道，以抑制该寄生晶体管导通。

2.权利要求1所述的高压元件，其中该漂移氧化区包括一区域氧化结构、一浅沟槽绝缘结构或一化学气相沉积氧化区。

3.权利要求1所述的高压元件，其中该本体极包括多个该子本体极，且该多个子本体极不彼此连接。

4.权利要求1所述的高压元件，其中该缓冲区于该高压元件的一瞬时操作中，降低该本体区与该阱区间的电容。