[发明专利]金属纳米线及包含它的透射性电极及有机发光元件

权利要求书

1.一种金属纳米线，包括至少2个以上的线部，其特征在于，

包括具备第一直径的第n线部、以及具备大于上述第一直径的第二直径的第n+1线部，

上述第n+1线部与上述第n线部连接且通过上述第n线部的侧面生长而形成。

2.一种金属纳米线，其特征在于，

包括具备第一直径的第一线部、以及具备大于上述第一直径的第二直径的第二线部，

从上述第一线部延伸的上述第二线部通过上述第一线部的侧面生长而形成。

3.根据权利要求2所述的金属纳米线，其特征在于，

上述第二线部形成于上述第一线部的一侧端部或两侧端部。

4.根据权利要求2所述的金属纳米线，其特征在于，

上述第一直径是50至100nm，

上述第二直径是150至1100nm。

5.根据权利要求2所述的金属纳米线，其特征在于，

上述第一线部的长度是40至100μm，

上述第二线部的长度是5至15μm。

6.根据权利要求2所述的金属纳米线，其特征在于，

上述第一线部及上述第二线部中垂直于长度方向的截面为多角形形状。

7.根据权利要求6所述的金属纳米线，其特征在于，

垂直于上述第一线部长度方向的截面是四角形或五角形。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的金属纳米线，其特征在于，

上述金属纳米线是从Ni、Co、Fe、Pt、Au、Ag、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr及Ge所组成的群中选择的金属材料的纳米线。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的金属纳米线，其特征在于，

上述线部中至少一个以上具有至少一个以上的折曲。

10.根据权利要求9所述的金属纳米线，其特征在于，

具备上述折曲的线部的折曲角度α为130°≤α≤170°。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的金属纳米线，其特征在于，

上述金属纳米线还包括形成于上述金属纳米线的金属化合物壳。

12.根据权利要求11所述的金属纳米线，其特征在于，

上述金属化合物壳是透明导电性金属化合物。

13.根据权利要求11所述的金属纳米线，其特征在于，

以垂直于上述金属纳米线长度方向的剖视图查看时，上述金属化合物壳是多个多角形形状。

14.根据权利要求13所述的金属纳米线，其特征在于，

上述剖视图上的多角形形状是3个至6个范围内，

把上述多角形中邻接上述金属纳米线的边定义为底边时，底边的长度d在40nm至200nm范围内，高度c在10nm至200nm范围内。

15.根据权利要求13所述的金属纳米线，其特征在于，

相比于上述多角形高度c的金属纳米线长度a的比例、即c/a为0.00006至0.02范围内。

16.根据权利要求13所述的金属纳米线，其特征在于，

在垂直于上述金属纳米线长度方向的剖视图上，相比于最长直径f的金属纳米线的长度a的比例、即f/a为0.0001至0.06范围内。