[发明专利]一种二维磁场传感器

权利要求书

1.一种二维磁场传感器，包括磁通引导器；其特征在于：所述磁通引导器外部框架为水平方向或垂直方向沿对角线对称的半环形结构，对称轴将磁通引导器分为两个区域；每个区域均开有磁敏电阻放置间隙；每个区域设置有一对磁敏电阻，磁敏电阻均设置在衬底上，一个磁敏电阻被磁通引导器覆盖，另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内；同一区域的一对磁敏电阻连成惠斯通电桥半桥结构；同一区域内，所述的磁敏电阻的倾斜角度与磁敏电阻放置间隙的倾斜角度相同，磁敏电阻的两边与间隙的切边平行；磁通引导器为单芯集成。

2.如权利要求1所述的二维磁场传感器，其特征在于：所述的磁敏电阻放置间隙的两边与切边呈大于0º小于90º的倾斜角。

3.如权利要求1所述的二维磁场传感器，其特征在于：所述的磁通引导器诱导平面磁场通过磁通引导器的两个间隙，间隙中的磁敏电阻感受到通过间隙的磁场分量，磁敏电阻随外场发生改变，而被磁通引导器覆盖的磁敏电阻由于被软磁屏蔽，故磁敏电阻不随外场改变，磁通引导器的间隙中的磁敏电阻以及被磁通引导器覆盖的磁敏电阻组成两对惠斯通电桥形成差分输出，从而实现对二维磁场的测量。

4.如权利要求1所述的二维磁场传感器，其特征在于：所述的磁敏电阻由同种材料组成，为各向异性磁电阻、巨磁电阻、磁隧道结电阻。

5.如权利要求1所述的二维磁场传感器，其特征在于：所述的磁通引导器选用软磁材料。