[发明专利]一种高比表面积的MeN涂层及其制备方法和超级电容器

权利要求书

1.一种高比表面积的MeN涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、使用物理气相沉积法，在氮气，或氮气和惰性气体混合气体的气氛中，在基体的表面蒸发或者溅射Me金属靶材生成MeN，得到第一MeN涂层，其中，所述Me金属靶材包括金属的单质或过渡金属的单质，所述Me金属靶材为Hf；

步骤二、将所述第一MeN涂层的表面进行离子源刻蚀法处理，得到高比表面积的MeN涂层；所述离子源刻蚀法处理包括以下步骤：

步骤1、调节所述第一MeN涂层的温度为400℃～450℃；

步骤2、在惰性气体的气氛中，调节离子源刻蚀的腔体的压力为0.8Pa～1.5Pa，以及调节所述第一MeN涂层的加载负偏压大小为-600V～-800V，开启离子源，使得所述离子源的离子束对所述第一MeN涂层的表面进行离子刻蚀法处理。

2.根据权利要求1所述的高比表面积的MeN涂层的制备方法，其特征在于，所述离子源刻蚀法的刻蚀剂包括F₂，CF₄、O₂、Cl₂、H₂、Ar、CH₄、SiH₄、Kr和Me金属靶材中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的高比表面积的MeN涂层的制备方法，其特征在于，所述离子刻蚀法的刻蚀时间为0h～3h。

4.根据权利要求1所述的高比表面积的MeN涂层的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积法为电弧离子镀法、真空蒸镀法，直流磁控溅射法、射频磁控溅射法或高功率磁控溅射法。

5.根据权利要求1所述的高比表面积的MeN涂层的制备方法，其特征在于，步骤一之前还包括：将基体进行溶剂清洗处理，得到第一预处理基体；

所述溶剂清洗处理包括：

对所述基体在丙酮中超声清洗，再使用无水乙醇超声清洗，取出后再用去离子水超声清洗，干燥备用。

6.根据权利要求5所述的高比表面积的MeN涂层的制备方法，其特征在于，所述溶剂清洗之后还包括：对所述第一预处理基体还进行离子源轰击清洗处理，所述离子源轰击清洗处理具体包括：

采用离子源进行轰击清洗。

7.一种高比表面积的MeN涂层，其特征在于，包括如权利要求1至6任意一项所述的高比表面积的MeN涂层的制备方法制备得到的高比表面积的MeN涂层。

8.一种超级电容器，其特征在于，包括如权利要求1至6任意一项所述的高比表面积的MeN涂层的制备方法制备得到的高比表面积的MeN涂层或权利要求7所述的高比表面积的MeN涂层制得。