[发明专利]一种基于多组分有机体异质结和砷化铟的宽光谱光敏二极管在审
| 申请号： | 201810657177.7 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110635035A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 彭应全;廖光萌 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 730000 甘肃省兰*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机体 砷化铟 透明导电薄膜 光敏二极管 空穴阻挡层 无机半导体 异质结层 宽光谱 异质结 晶片 薄膜组成 高迁移率 光谱响应 光响应度 吸收光谱 吸收效率 衬底 高光 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于多组分有机体异质结和砷化铟的宽光谱光敏二极管，其特征是它由砷化铟晶片兼作衬底、多组分有机体异质结层、空穴阻挡层、Sb2O3/Ag/Sb2O3薄膜、Ti/Au薄膜组成，从下至上，其顺序依次是Ti/Au薄膜，砷化铟晶片，多组分有机体异质结层，空穴阻挡层和Sb2O3/Ag/Sb2O3薄膜。
2.权利要求1所述的基于多组分有机体异质结和砷化铟的宽光谱光敏二极管，其特征在于多组分有机体异质结主要吸收可见光，而砷化铟主要吸收红外光，两者吸收光谱互补实现从可见光到红外光的宽光谱光探测。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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