[发明专利]一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽在审
| 申请号： | 201810657694.4 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108878321A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘芳军 | 申请（专利权）人： | 扬州思普尔科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 | 代理人： | 黄胡生 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗槽 半导体晶圆 清洗 循环水管 冲水槽 节能 快速清洗 喷淋装置 循环水阀 进气管 进水管 排水阀 底端 半导体 水资源 | ||
1.一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽，其特征在于：包括清洗槽，所述清洗槽的下侧设有进水管和进气管，所述清洗槽的上方设有喷淋装置，所述清洗槽的上部一侧还设有循环水管，所述循环水管上设有循环水阀，所述清洗槽的底端设有排水阀。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽，其特征在于：所述进气管和所述进水管均平行排布在所述清洗槽的底部，所述进气管和所述进水管上均设有若干通孔；所述清洗槽的底部位于所述进气管上方还设有导流板，所述导流板的表面均匀设有若干通孔，且所述进气管和所述进水管的通孔与所述导流板的通孔相贯通。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽，其特征在于：所述清洗槽的上部一侧水阻槽，所述水阻槽内设有水阻测试装置，所述水阻槽与所述循环水管相接。
4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽，其特征在于：所述水阻槽的外部包覆有溢流槽，且所述水阻槽的上端面低于所述溢流槽的上端面，所述溢流槽的底部与所述循环水管相接，所述循环水管还连接有废水管，所述废水管上设有废水阀。
5.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽，其特征在于：所述溢流槽的底部与所述进水管相接。
6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽，其特征在于：所述喷淋装置包括喷淋水管，所述喷淋水管的下侧设有若干喷淋头。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
