[发明专利]用于提供均匀气流的设备与方法有效
申请号: | 201810659433.6 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN108796472B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | J·约德伏斯基;M·常;F·京格尔;P·F·马;D·储;C-T·考;H·莱姆;D-Y·吴 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 金红莲;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提供 均匀 气流 设备 方法 | ||
1.一种气体分配装置,包括:
板,具有前侧表面和背侧表面;
形成于所述背侧表面中的凹陷区域,其中,所述凹陷区域具有凹陷表面,该凹陷表面置于与所述背侧表面具有距离之处,且所述凹陷表面与所述前侧表面相对;
形成于所述板的所述凹陷表面上的第一螺旋形气体输送通道,其中,所述第一螺旋形气体输送通道具有长度;
形成于所述板的所述凹陷表面上的第二螺旋形气体输送通道,其中
所述第二螺旋形气体输送通道具有长度,且
所述第二螺旋形气体输送通道和所述第一螺旋形气体输送通道沿着所述第二螺旋形气体输送通道的所述长度彼此相邻定位,
沿着所述第一螺旋形气体输送通道的所述长度间隔开的第一多个孔,其中,所述第一多个孔的每一个从所述前侧表面向所述第一螺旋形气体输送通道的表面延伸;以及
沿着所述第二螺旋形气体输送通道的所述长度间隔开的第二多个孔,其中,所述第二多个孔的每一个从所述前侧表面向所述第二螺旋形气体输送通道的表面延伸,其中所述第一螺旋形气体输送通道和所述第二螺旋形气体输送通道在所述背侧表面向内延伸,并且所述第一螺旋形气体输送通道和所述第二螺旋形气体输送通道的内部区域在所述背侧表面处暴露,
其中所述凹陷区域配置为接收背盖,其中所述背盖的表面配置为在所述背盖定位于所述凹陷区域中时基本上覆盖所述第一螺旋形气体输送通道和所述第二螺旋形气体输送通道。
2.如权利要求1所述的气体分配装置,其中,所述第一螺旋形气体输送通道和所述第二螺旋形气体输送通道各自还包括上方部分,该上方部分置于下方部分和所述凹陷表面之间,其中,所述下方部分的所述表面具有成圆的形状。
3.如权利要求2所述的气体分配装置,其中,所述下方部分的所述表面的所述成圆的形状是半圆形或半椭圆形。
4.如权利要求2所述的气体分配装置,其中,所述第一多个孔从所述第一螺旋形气体输送通道的所述下方部分的所述表面向所述前侧表面延伸。
5.如权利要求4所述的气体分配装置,其中,所述第二多个孔从所述第二螺旋形气体输送通道的所述下方部分的所述表面向所述前侧表面延伸。
6.如权利要求1所述的气体分配装置,其中,所述第一多个孔和所述第二多个孔各自包括具有第一直径的第一截面、第二截面以及具有第二直径的第三截面,其中,所述第二截面具有从所述第一直径向所述第二直径变小的形状。
7.如权利要求1所述的气体分配装置,其中,所述第一多个孔和所述第二多个孔各自包括具有第一直径的第一截面、第二截面以及具有第二直径的第三截面,其中,所述第二直径在0.03英寸(0.762mm)与0.15英寸(3.81mm)之间。
8.如权利要求1所述的气体分配装置,其中,所述第一多个孔和所述第二多个孔各自在所述前侧表面处具有0.03英寸(0.762mm)与0.15英寸(3.81mm)之间的直径。
9.如权利要求8所述的气体分配装置,其中,所述第一螺旋形气体输送通道和所述第二螺旋形气体输送通道各自具有0.3英寸(7.62mm)与0.425英寸(10.8mm)之间的宽度。
10.如权利要求8所述的气体分配装置,其中,所述第一多个孔包括300与900个之间的孔,且所述第二多个孔包括300与900个之间的孔。
11.如权利要求1所述的气体分配装置,其中,所述第一多个孔和所述第二多个孔各自在所述前侧表面处具有小于0.08英寸(2.03mm)的直径。
12.如权利要求1所述的气体分配装置,其中,所述第一多个孔和所述第二多个孔各自在所述第一螺旋形气体输送通道或所述第二螺旋形气体输送通道的所述下方部分的所述表面处具有小于0.02英寸(0.508mm)的直径。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810659433.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成膜方法和成膜装置
- 下一篇:一种薄膜的热分解制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的