[发明专利]基于CdTe/CdS量子点的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，其特征在于：从下至上依次包括Au电极、P-Si衬底层、Si纳米线层、空穴传输层PVK、CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜层、Au纳米棒层、ZnO电子传输层以及ITO电极。

2.根据权利要求1所述的基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，其特征在于：所述Au电极为平面状电极。

3.根据权利要求2所述的基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，其特征在于：所述ITO电极为点状电极。

4.根据权利要求3所述的基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，其特征在于：ZnO电子传输层厚度为50nm、CdTe量子点发光层的厚度为2个单层、PVK空穴传输层的厚度为40nm。

5.一种基于CdTe/CdS量子点的发光二极管的制备方法，其特征在于，至少包括如下几个步骤：

第一步、将P-Si衬底进行清洗烘干；

第二步、采用化学刻蚀法在P-Si衬底上刻蚀Si纳米线；

第三步、将PVK旋涂于所述Si纳米线上作为空穴传输层，在氮气氛围中退火；

第四步、在氮气氛围中，将POSS溶于80℃的CdTe/CdS量子点溶液中，并搅拌2个小时，将制备的溶胶旋涂到PVK空穴传输层上，然后将样品在室温条件下经过24小时的熟化获得CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜；

第五步、将不同长径比的Au纳米棒旋涂于CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜上；

第六步、将胶体ZnO纳米颗粒旋涂于Au纳米棒层上作为电子传输层；

第七步、在样品的正面蒸上直径为1.5mm的点状ITO电极，背面蒸上平面状Au电极。

6.根据权利要求5所述的基于CdTe/CdS量子点的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一步包括如下步骤：

S1:把准备好的P-Si衬底基片放入NH₄OH：30％H₂O₂：H₂O＝1:2:5的碱性溶液中，置于加热炉中加热至沸腾，沸腾5分钟后停止加热，用去离子水反复冲洗；

S2：将P-Si衬底基片放入HCl：30％H₂O₂：H₂O＝1:2:6的酸性溶液中，置于加热炉中加热至沸腾，沸腾5分钟后停止加热，用去离子水反复冲洗干净；最后放入烘箱内烘干备用。

7.根据权利要求5所述的基于CdTe/CdS量子点的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第二步通过化学刻蚀法制备Si纳米线，其具体制备的步骤包括：首先，把洗净的P-Si衬底基片平稳的浸入5mol/L的HF和0.02mol/L的AgNO3混合溶液中，抛光面朝上，大约5min后取出用去离子水冲洗；然后，再浸入HNO3溶液中，最后用去离子水冲洗干净，在氮气氛围下干燥后通过控制刻蚀时间获得不同尺寸的Si纳米线。