[发明专利]多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法

权利要求书

1.一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：在一InP衬底1上依次生长牺牲层2、N接触层3、光吸收层4和帽层5；

步骤2：从帽层5的一侧向下刻蚀，刻蚀深度达到N接触层3，便于电极引出；

步骤3：在接触层3和帽层5上生长图形金属电极，并在电极上生长铟柱6，得到探测器芯片；

步骤4：取一个读出电路7，将探测器芯片与读出电路7倒扣，得到一个焦平面模块；

步骤5：对焦平面模块的背面，去除衬底1和牺牲层2；

步骤6：在N接触层3上生长SiO₂介质膜8，图形化制备多层分光透光膜9，形成多波段可见光至近红外焦平面探测器。

2.如权利要求1所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法，其中所述的衬底1的材料为InP、GaAs或Si。

3.如权利要求1所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法，其中所述的牺牲层2的材料为InGaAs或InGaAsP。

4.如权利要求1所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法，其中，所述的N接触层3的材料为InP或InGaAs或InGaAsP，厚度为50-500nm。

5.如权利要求1所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法，其中，所述的光吸收层4的材料为InGaAs，厚度为50-300nm。

6.如权利要求1所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法，其中所述的帽层5的材料为InGaAs、InGaAsP或InP，厚度为50-200nm。

7.如权利要求1所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法，其中所述的分光透光膜9是介质膜或金属光栅。

8.如权利要求7所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法，其中所述的介质膜的材料为氧化硅或氮化硅。

9.如权利要求7所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法，其中上金属光栅的材料为Au薄膜或Ag薄膜，金属光栅的厚度和开孔周期形状等由仿真模拟的结果确定。