[发明专利]一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810660416.4 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108565285B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张杨;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张素红 |
| 地址： | 100076 北京市大兴区西红*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 电子 迁移率 晶体管 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料，包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、n-AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层，其特征在于，所述GaAs缓冲层为低温缓冲层，具有两个肖特基势垒层，所述GaAs缓冲层与InGaAs沟道层之间有肖特基势垒层，所述InGaAs沟道层与n-AlGaAs蚀刻停止层之间还具有肖特基势垒层，所述GaAs缓冲层的电阻率为1～7×107Ω.cm；所述GaAs缓冲层采用的生长温度是250℃～300℃；
所述GaAs缓冲层的厚度为200nm；
所述肖特基势垒层的厚度为15nm，18nm，20nm或35nm，生长温度为450-600℃。
2.根据权利要求1所述的GaAs基高电子迁移率晶体管材料，其特征在于，所述肖特基势垒层的生长温度为600℃。
3.权利要求1或2所述的GaAs基高电子迁移率晶体管材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在GaAs衬底上生长一层GaAs缓冲层，生长温度为低温；然后再在GaAs缓冲层上继续依次生长InGaAs沟道层、n-AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层。
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