[发明专利]一种多层基片集成波导双通带滤波器

权利要求书

1.一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，采用双模谐振器垂直耦合结构，利用谐振器的多谐振模特性产生两个通带，利用SIW谐振腔不同模式之间的正交性独立进行各个谐振模之间的耦合，通过调节谐振器的尺寸调节两个通带的中心频率，通过调节谐振模之间的混合耦合方式来调节两个通带的带宽。

2.如权利要求1所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，包括：顶层金属层、中间金属层、底部金属层、第一基片介质层和第二基片介质层；

基模和第一高次模分别通过刻蚀在中间金属层上的耦合窗口进行垂直混合电磁耦合，分别产生第一通带、第二通带；

通过调节SIW谐振器的宽度、宽长比来独立控制两个谐振模的谐振频率，通过调节垂直耦合窗口大小来独立控制两个谐振模的耦合系数，两个通带的中心频率和带宽独立控制。

3.如权利要求2所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，

所述中间金属层上设计有第一耦合窗口、第二耦合窗口、第三耦合窗口、第四耦合窗口、第五耦合窗口；

第一耦合窗口和第二耦合窗口刻蚀在基模磁场最大的位置，第三耦合窗口和第五耦合窗口刻蚀在第一高次模电场最大的位置，第四耦合窗口刻蚀在基模电场最大的位置，基模电场最大的位置同时也是第一高次模磁场最大的位置。

4.如权利要求3所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，

所述第一耦合窗口和第二耦合窗口为长方形。

5.如权利要求4所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，

通过调节第一耦合窗口和第二耦合窗口的宽度来独立调节所述基模的磁耦合系数。

6.如权利要求3所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，

所述第三耦合窗口、第四耦合窗口和第五耦合窗口为圆形。

7.如权利要求6所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，

通过调节第三耦合窗口和第五耦合窗口的半径来调整第一高次模的电耦合系数。

8.如权利要求3所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，

所述基模通过第四耦合窗口进行垂直电耦合，通过第一耦合窗口和第二耦合窗口进行垂直磁耦合；

所述第一高次模通过第四耦合窗口进行垂直磁耦合，通过第三耦合窗口和第五耦合窗口进行垂直电耦合；

通过分别调节相应电耦合窗口和磁耦合窗口的大小来独立控制两个谐振模的混合耦合系数，独立控制两个通带带宽。

9.如权利要求1所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，

对于单阶滤波器，输入端口和输出端口在同一层、谐振腔在另一层，输入端口、输出端口以垂直耦合的方式和谐振腔中的谐振模耦合，产生通带；或者，输入端口和输出端口分别在单独的一层，谐振器在中间层，输入端口、输出端口以垂直耦合的方式和谐振腔中的谐振模耦合，产生通带。

10.如权利要求9所述的一种多层基片集成波导双通带滤波器，其特征在于，

当增加滤波器的阶数时，增加相应的第一介质层和第二介质层、中间金属层的数量，水平尺寸保持不变。