[发明专利]功率单元组成的高压变频装置在审
申请号: | 201810661656.6 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108551267A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 贾少华;韩金华;栗占伟;李雅琪;郑豫生 | 申请(专利权)人: | 中国大唐集团科学技术研究院有限公司华中分公司 |
主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458 |
代理公司: | 郑州华隆知识产权代理事务所(普通合伙) 41144 | 代理人: | 林新园 |
地址: | 450000 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘栅双极型晶体管 功率单元 发射极 集电极 高压变频装置 串联 大功率器件 移相变压器 逆变模块 通用性强 整流模块 直流模块 电容 高电压 电阻 可用 逆变 组建 环节 | ||
1.一种功率单元组成的高压变频装置,包括壳体(1)和装在壳体内的高压变频电路,其特征在于,高压变频电路包括整流模块、直流模块和逆变模块,整流模块包括6个功率单元A1、A2、B1、B2、C1、C2,直流模块包括串联的电容C1、C2、C3、C4和串联的电阻R1、R2、R3、R4,逆变模块包括6个功率单元U1、U2、V1、V2、W1、W2,每个功率单元均包括4个绝缘栅双极型晶体管VT1、VT2、VT3、VT4,绝缘栅双极型晶体管VT1的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT2的集电极,绝缘栅双极型晶体管VT2的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT3的集电极,绝缘栅双极型晶体管VT3的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT4的集电极;
整流模块中:
功率单元A1、A2并联,功率单元B1、B2并联,功率单元C1、C2并联,每个功率单元中:
绝缘栅双极型晶体管VT1的集电极作为整流模块功率单元的直流电压正极输出端P1;
绝缘栅双极型晶体管VT2与绝缘栅双极型晶体管VT3的共端作为整流模块功率单元的三相交流电源的单相输入端O1;
绝缘栅双极型晶体管VT4的发射极作为整流模块功率单元的直流电压负极输出端N1;
逆变模块中:
功率单元U1、U2并联,功率单元V1、V2并联,功率单元W1、W2并联,每个功率单元中:
绝缘栅双极型晶体管VT1的集电极作为逆变模块功率单元的直流电压正极输入端P2;
绝缘栅双极型晶体管VT2与绝缘栅双极型晶体管VT3的共端作为逆变模块功率单元的逆变交流单相输出端O2;
绝缘栅双极型晶体管VT4的发射极作为逆变模块功率单元的直流电压负极输入端N2;
功率单元A1的直流电压正极输出端分别接整流模块中其余各功率单元的直流电压正极输出端,共端接电容C1的一端、电阻R1的一端和逆变模块中各功率单元的直流电压正极输入端,功率单元A1的直流电压负极输出端分别接整流模块中其余各功率单元的直流电压负极输出端,共端接电容C4的一端、电阻R4的一端和逆变模块中各功率单元的直流电压负极输入端,电容C1的另一端分别接电阻R1的另一端、电容C2的一端和电阻R2的一端,电容C2的另一端分别接电容C3的一端、电阻R2的另一端和电阻R3的一端,电容C3的另一端分别接电容C4的另一端电阻R4的另一端和电阻R3的另一端。
2.根据权利要求1所述的功率单元组成的高压变频装置,其特征在于,所述功率单元A1、A2的单相输入端分别接三相交流电源的A相输出端,功率单元B1、B2的单相输入端分别接三相交流电源的B相输出端,功率单元C1、C2的单相输入端分别接三相交流电源的C相输出端。
3.根据权利要求1所述的功率单元组成的高压变频装置,其特征在于,所述功率单元U1、U2的逆变交流单相输出端分别接电动机的三相交流电源的U相输入端,功率单元V1、V2的逆变交流单相输出端分别接电动机的三相交流电源的V相输入端,功率单元W1、W2的逆变交流单相输出端分别接电动机的三相交流电源的W相输入端。
4.根据权利要求1所述的功率单元组成的高压变频装置,其特征在于,所述的壳体(1)上分别设置有3个与三相交流电源的单相输入端相对应的交流电源输入端口(2)和3个与逆变交流单相输出端相对应的交流电源输出端(3)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国大唐集团科学技术研究院有限公司华中分公司,未经中国大唐集团科学技术研究院有限公司华中分公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810661656.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。