[发明专利]多叉指静电保护器件

权利要求书

1.一种多叉指静电保护器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，所述第二P阱位于所述第一P阱和所述第三P阱的中间，所述第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，所述第一P阱与所述第二P阱之间从左到右依次设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，所述第二P阱内从左到右依次设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，所述第四P+注入区以及所述第五P+注入区均与所述深N阱跨接，所述N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，所述第二P阱与所述第三P阱之间从左到右依次设有第六P+注入区、第六N+注入区、第七P+注入区，所述第三P阱内设有第七N+注入区、第八N+注入区、第八P+注入区，所述第一P+注入区、所述第一N+注入区、所述N+/P+掺杂注入区连接阴极，所述第二N+注入区、所述第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第四N+注入区连接阳极，所述多叉指静电保护器件以所述N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置，第一P+注入区与第一N+注入区邻接设置；第一N+注入区和第二N+注入区间隔设置，在第一N+注入区和第二N+注入区间之间的第一P阱上方设置有第一多晶硅栅、第一P阱与第二P+注入区之间设置有第一场氧区；第二P+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区依次邻接设置；第三P+注入区与第四P+注入区之间设置有第二场氧区；第四P+注入区与第四N+注入区邻接设置；第四N+注入区和N+/P+掺杂注入区间隔设置，在第四N+注入区和N+/P+掺杂注入区之间的第二P阱上方设置有第二多晶硅栅；第一多晶硅栅和第二多晶硅栅连接阴极。

2.根据权利要求1所述的多叉指静电保护器件，其特征在于，所述第一N+注入区与所述第二N+注入区之间设有第一薄栅氧化层，所述第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅。

3.根据权利要求1所述的多叉指静电保护器件，其特征在于，所述第四N+注入区与所述N+/P+掺杂注入区之间设有第二薄栅氧化层，所述第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅，所述N+/P+掺杂注入区与所述第五N+注入区之间设有第三薄栅氧化层，所述第三薄栅氧化层上覆盖有第三多晶硅栅，所述第三多晶硅栅连接阴极。

4.根据权利要求1所述的多叉指静电保护器件，其特征在于，所述深N阱内从左到右依次设有所述第一P阱、所述第二P阱、所述第三P阱。

5.根据权利要求1所述的多叉指静电保护器件，其特征在于，所述衬底为P型硅衬底。