[发明专利]一种介质基片光刻对准标记、对准方法及光刻方法

说明书

本发明提出了一种介质基片光刻对准标识，所述对准标识为使用激光机加工的“十”字对准标记，加工遍数为1次；“十”字对准标记的横线和竖线的中心具有相对边沿更亮的中心线；“十”字对准标记设置在介质基片边缘。本发明在激光加工介质基片上的“十”字对准标记时只加工1遍，在光刻机的目镜中能形成清晰的中心线，使之与掩模版上“十”字对准标记的中心线对准，提高了薄膜电路的制造精度和一致性。

技术领域

本发明涉及薄膜电路技术领域，特别涉及一种介质基片光刻对准标记，还涉及一种介质基片光刻对准方法，还涉及一种薄膜电路的光刻方法。

背景技术

近年来，微波通信、微波测量等领域技术飞速发展，超微型的微波器件不断问世，在精度和集成度方面对微波混合集成电路也提出越来越高的要求。

由于微波混合集成电路的工作频率较高，对信号传输线的尺寸精度要求高，因此电路基板一般采用薄膜工艺制作，主要包括打孔、清洗、真空镀膜、光刻、电镀等工序。对于含有金属化接地孔的薄膜电路，通常在使用激光机加工通孔的同时，在基片的边缘加工用于第一次光刻时掩模版与介质基片对准的对准标记。通孔和对准标记贯穿介质基片的正面和反面，对准标记图形可任意设定，例如在发明专利《一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构》中描述了在介质基片边缘设置直角型纵向通孔，用于水平和垂直方向对准。

常用介质基片的厚度范围为0.1mm～1mm，激光机的输出功率为几瓦到十几瓦，按照设计好的图形加工一遍只能打掉很少一部分介质材料，一个通孔或对准标记图形需要反复加工几十到上百遍才能贯穿介质基片。

激光机加工通孔和对准标记时，激光照射区域的大部分介质基片材料被气化，一部分熔化后再凝固附着在通孔和对准标记图形周围，使得通孔和对准标记图形边界不整齐。另一方面，使用光刻机进行掩模版和介质基片对准过程中，掩模版与介质基片之间应留有间隙，以便于介质基片在水平面内能顺利的移动和旋转使之与掩模版对准。

由于掩模版和介质基片不在同一平面内，在光刻机的目镜中掩模版和介质基片上的对准标记不能同时清晰成像，再加上介质基片上的对准标记图形边界不整齐，导致掩模版与介质基片的对准精度不高，限制了薄膜电路的制作精度和一致性。

发明内容

本发明提出一种介质基片光刻对准方法，解决了含有金属化接地孔的薄膜电路制作过程中掩模版与介质基片对准精度不高、一致性差的难题。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种介质基片光刻对准标识，所述对准标识为使用激光机加工的“十”字对准标记，加工遍数为1次；“十”字对准标记的横线和竖线的中心具有相对边沿更亮的中心线；十”字对准标记设置在介质基片边缘。

可选地，将介质基片固定在激光机的工作台上，设定对准标记的加工参数，包括功率、扫描次数、进给距离、进给次数、扫描速度，功率设定范围为5～20W，扫描次数为1次，进给距离和进给次数用于加工通孔，加工对准标记时设定为0，扫描速度设定范围为100～400mm/s，将介质基片待加工图形定位对准后开始加工“十”字对准标记。

一种介质基片光刻对准方法，包括以下步骤：

步骤(a)，使用激光机在介质基片边缘加工至少2个“十”字对准标记，加工遍数为1次；

步骤(b)，光刻时，通过调整承片台使介质基片上的“十”字对准标记中心线与掩模版上的对准标记中心线对准；

可选地，掩模版上的“十”字对准标记的末端是等腰三角形，等腰三角形的顶点在“十”字对准标记的中心线上，掩模版上等腰三角形的顶点定义了掩模版“十”字对准标记的中心线，介质基片上的“十”字对准标记也有中心线，光刻时将掩模版上等腰三角形的顶点与介质基片上的“十”字对准标记中心线对准。

一种薄膜电路的光刻方法，包括以下步骤：