[发明专利]MEMS麦克风

权利要求书

1.一种MEMS麦克风，其特征在于：包括第一衬底以及通过间隔部支撑在第一衬底上方的振膜，所述第一衬底、间隔部、振膜围成了真空腔；其中，所述振膜与所述第一衬底之间低于大气压力，振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与第一衬底之间的距离；

振膜、第一衬底中，其中一个设置了磁性薄膜，另一个上设置了与磁性薄膜配合的磁阻传感器，所述磁阻传感器被配置为在振膜的振动过程中感应磁性薄膜的磁场变化而输出变化的电信号；

所述真空腔的真空度小于1kPa，所述振膜的机械灵敏度为0.02至0.9nm/Pa，所述振膜和第一衬底之间的初始间隙为1-100μm。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述磁阻传感器为巨磁阻传感器或者隧道磁阻传感器。

3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述磁性薄膜设置在第一衬底上位于真空腔一侧的位置；所述磁阻传感器设置在振膜上位于真空腔的一侧，或者设置在振膜上远离真空腔的一侧。

4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述磁性薄膜设置在第一衬底上位于真空腔一侧的位置；所述振膜采用复合结构，所述磁阻传感器设置在振膜的复合结构中。

5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述磁阻传感器设置在第一衬底上位于真空腔一侧的位置；所述磁性薄膜设置在振膜上位于真空腔的一侧，或者设置在振膜上远离真空腔的一侧。

6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述磁阻传感器设置在第一衬底上位于真空腔一侧的位置；所述振膜采用复合结构，所述磁性薄膜设置在振膜的复合结构中。

7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：还包括ASIC电路，所述ASIC电路形成在第一衬底上。

8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：在所述振膜远离真空腔的一侧还设置有第二衬底，所述第二衬底上对应振膜中部区域的位置形成有将振膜露出的空腔。