[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置有效
申请号: | 201810664019.4 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN110634519B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 马思博;李杨;舒清明 | 申请(专利权)人: | 西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/04 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非易失 存储器 处理 方法 装置 | ||
1.一种非易失存储器处理方法,其特征在于,所述非易失存储器包括:N个存储板plane,N等于或者大于2;每个所述plane对应一个控制开关;所述方法包括:
接收对所述非易失存储器的操作指令,所述操作指令指示不超过N-1个存储板plane;
根据所述操作指令,同时开启所述非易失存储器的N个存储板plane对应的控制开关。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,各所述plane的字线WL与各所述plane对应的控制开关连接;各所述控制开关通过各所述WL控制各所述plane的开启或停止。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,每个所述plane还对应有:字线控制区域、位线控制区域;
所述字线控制区域用于控制所述plane的字线WL电压;
所述位线控制区域用于控制所述plane的位线BL电压。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个所述plane包括多个存储块block。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述非易失存储器为双plane非易失存储器。
6.一种非易失存储器处理装置,其特征在于,所述非易失存储器包括:N个存储板plane,N等于或者大于2;每个所述plane对应一个控制开关;所述装置包括:
接收模块,用于接收对所述非易失存储器的操作指令,所述操作指令指示不超过N-1个存储板plane;
控制模块,用于根据所述操作指令,同时开启所述非易失存储器的N个存储板plane对应的控制开关。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,各所述plane的字线WL与各所述plane对应的控制开关连接;各所述控制开关通过各所述WL控制各所述plane的开启或停止。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,每个所述plane还对应有:字线控制区域、位线控制区域;
所述字线控制区域用于控制所述plane的字线WL电压;
所述位线控制区域用于控制所述plane的位线BL电压。
9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,每个所述plane包括多个存储块block。
10.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述非易失存储器为双plane非易失存储器。
11.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有至少一条指令,所述至少一条指令在被执行时以实现所述权利要求1-5中任一所述的非易失存储器处理方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司,未经西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810664019.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:SRAM写操作追踪电路
- 下一篇:非易失性存储装置、微型计算机和电子设备