[发明专利]基于金刚石的氮面极性氮化镓器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810665083.4 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108538723A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓器件 金刚石 氮面极性 晶体结构 衬底 制造 金刚石层 制造工艺 倒置 产业化 沟道层 介质层 生长势 晶圆 垒层 去除 申请 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于金刚石的氮面极性氮化镓器件制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次生长GaN层、介质层和金刚石层以形成晶体结构；
倒置所述晶体结构并去除所述衬底；
在所述GaN层上依次生长势垒层和沟道层。
2.根据权利要求1所述的基于金刚石的氮面极性氮化镓器件制造方法，其特征在于，所述介质层的厚度为1nm-100nm。
3.根据权利要求3所述的基于金刚石的氮面极性氮化镓器件制造方法，其特征在于，所述介质层的厚度为1nm-5nm。
4.根据权利要求1所述的基于金刚石的氮面极性氮化镓器件制造方法，其特征在于，生长所述介质层的温度为700℃-1100℃。
5.根据权利要求1所述的基于金刚石的氮面极性氮化镓器件制造方法，其特征在于，所述在衬底上生长GaN层为镓面极性GaN层，所述晶体结构倒置后的GaN层为氮面极性GaN层。
6.一种基于金刚石的氮面极性氮化镓器件，其特征在于，包括依次层叠设置的金刚石层、介质层、GaN层、势垒层和沟道层。
7.根据权利要求6所述的基于金刚石的氮面极性氮化镓器件，其特征在于，所述沟道层上设有源极、漏极和栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
