[发明专利]一种增强FLASH存储器可靠性的方法有效
申请号: | 201810665139.6 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN109165115B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 刘宏梅;陈峰;仲倩黎 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F12/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 flash 存储器 可靠性 方法 | ||
1.一种增强FLASH存储器可靠性的方法,其特征在于,按以下步骤操作进行程序执行和处理,改进FLASH存储器的可靠性:
步骤1,上电后,建立FLASH映射表及初始化,等待上层应用对FLASH存储器访问请求;
步骤2,应对FLASH存储器访问请求,在映射表中进行映射查找,得到实际FLASH存储地址;
步骤3,根据需要操作的实际FLASH存储地址,访问FLASH存储器地址;
步骤4,判断是否需要换页,判断条件为:如果是读访问,检查ECC校验寄存器,为0则不需要换页,访问成功,退出判断;为1则需要换页但返回数据正确,进入步骤5;为其他值则ECC无法纠错,访问失败,退出判断;如果是写访问,检查写函数返回值,如果为0,则不需要换页,访问成功,退出判断;为1则需要换页但返回数据正确,进入步骤5;
步骤5,查询FLASH映射表,按规则找到可用冗余区的页地址,如果冗余区已经耗尽,进入步骤6;如果存在可用的冗余区页,则先将冗余页值更新为与替换页相同,再更新FLASH映射表信息,访问成功,流程结束;
步骤6,冗余区耗尽,无法换页,存储器整体可靠性失效,访问彻底失败,流程终止。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于利用芯片在FLASH存储器访问后产生的ECC校验结果作为控制信号进行坏页处理,所述坏页处理是指根据ECC校验输出寄存器标志信号,通过FLASH映射表选择直接操作对应存储器地址还是FLASH冗余区进行替换,并更新FLASH映射表,实际使用块或页可根据FLASH存储器最小操作单位设定;基于芯片ECC算法校验机制,在每次FLASH存储器访问操作完成后,芯片对数据进行ECC算法校验,结果写入寄存器,并自动纠错FLASH存储器页访问的数据,保证读出数据的正确性。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于使用FLASH冗余区页代替目标FLASH存储区页;代替的方式为:为所有存储页建立FLASH映射表,每个FLASH存储页在FLASH映射表中有对应的实际地址,当发生换页时,将冗余区页地址信息更新到对应的FLASH映射表位置。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于FLASH映射表可以进行所有存储器页信息管理,包括换页、坏页信息等处理。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于可以通过配置FLASH映射表、FLASH存储器冗余区大小,动态提升FLASH存储器的可靠性,解决不同用户对FLASH存储器可靠性的需求,提高开发效率可以进行所有存储器页信息管理。
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