[发明专利]一种Ag8

权利要求书

1.一种高完整性的Ag₈SnSe₆晶体生长方法，采用溶体生长法，将Ag₈SnSe₆籽晶与Ag₈SnSe₆多晶料装入坩埚中，抽真空后密封，其特征是：坩埚中还装有NaCl与LiCl构成的复合覆盖剂；

所述坩埚由支座支撑，所述支座为高热导率耐热钢；

将密封后的坩埚置于生长炉中，生长炉包括高温区、中温区与低温区，高温区温度为850～950℃，中温区温度为700～850℃，低温区温度为450～700℃；在高温区完成Ag₈SnSe₆原料融化并与籽晶接种，在中温区完成晶体生长直到熔体结晶完成，在低温区完成退火。

2.如权利要求1所述的Ag₈SnSe₆晶体生长方法，其特征是：NaCl和LiCl的摩尔比为0.8～1.2。

3.如权利要求1所述的Ag₈SnSe₆晶体生长方法，其特征是：NaCl与LiCl的总重量为100～300克。

4.如权利要求1所述的Ag₈SnSe₆晶体生长方法，其特征是：抽真空至10^-3Pa量级。

5.如权利要求1所述的Ag₈SnSe₆晶体生长方法，其特征是：所述中温区的温度梯度为5-15℃/cm。

6.如权利要求1至3中任一权利要求所述的Ag₈SnSe₆晶体生长方法，其特征是：设置热电偶，用于监控炉体温度。

7.如权利要求1所述的Ag₈SnSe₆晶体生长方法，其特征是：所述生长炉主要包括炉体、发热体、石英坩埚、用于支撑石英坩埚的支座，以及用于在垂直方向 移动石英坩埚的升降机构；

所述炉体下端开口；在所述发热体作用下炉体内自上而下垂直形成高温区、中温区、低温区；所述支座设置在升降机构上，可随着升降机构的运动在炉体的垂直方向上下移动。