[发明专利]半导体器件

说明书

第一位线结构设置在第一接触结构与第二接触结构之间。第一空气间隔物插置在第一接触结构与第一位线结构之间。第一分离空间连接到第一空气间隔物的空气入口，并且插置在第一接触结构与第一位线结构之间。具有间隙部分的盖绝缘图案插置在第一接触结构与第二接触结构之间。间隙部分具有向下减小的宽度。空气覆盖图案覆盖该盖绝缘图案以密封第一分离空间。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着电子技术的发展和用户的需要，电子装置变得更小更轻。因此，需要在电子装置中使用具有高集成度的半导体器件，因而，对于半导体器件的元件的设计规则降低。

发明内容

根据本发明构思的一示例性实施方式，提供一种半导体器件如下。第一位线结构设置在第一接触结构与第二接触结构之间。第一空气间隔物插置在第一接触结构与第一位线结构之间。第一分离空间连接到第一空气间隔物的空气入口，并且插置在第一接触结构与第一位线结构之间。具有间隙部分的盖绝缘图案插置在第一接触结构与第二接触结构之间。间隙部分具有向下减小的宽度。空气覆盖图案覆盖该盖绝缘图案以密封第一分离空间。

根据本发明构思的一示例性实施方式，提供一种半导体器件如下。第一位线结构设置在第一接触结构和第二接触结构之间。第一空气间隔物插置在第一接触结构和第一位线结构之间。插塞结构插置在第一接触结构和第二接触结构之间。第一分离空间设置在第一空气间隔物和插塞结构之间并且连接到第一空气间隔物。第一分离空间具有在从第一空气间隔物到插塞结构的方向上增加的宽度。

根据本发明构思的一示例性实施方式，提供一种半导体器件如下。第一位线结构设置在第一接触结构的下部分与第二接触结构的下部分之间。第二接触结构的上部分位于第一位线结构的上表面上。第一空气间隔物插置在第一接触结构的下部分与第一位线结构的下部分之间。第一分离空间连接到第一空气间隔物的空气入口并且插置在第一接触结构的上部分与第一位线结构的上部分之间。插塞结构插置在第一接触结构的上部分与第二接触结构的上部分之间以密封第一分离空间。

根据本发明构思的一示例性实施方式，提供一种制造半导体器件的方法如下。

位线结构形成在基板上。第一接触结构和第二接触结构形成在基板上。位线结构设置在第一接触结构与第二接触结构之间。第二接触结构在位线结构的上表面上。具有牺牲间隔物的初级绝缘间隔物结构形成为覆盖位线结构的侧壁。具有间隙部分的盖绝缘图案形成在第一接触结构和第二接触结构之间。空气间隔物通过经过间隙部分去除牺牲间隔物而形成。空气覆盖图案形成在第一接触结构和第二接触结构之间以密封盖绝缘图案的间隙部分。

附图说明

本发明构思的这些和其它特征将通过参考附图详细描述其示例性实施方式而变得更加明显，在图中：

图1是用于描述根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的单元阵列区的主要元件的示意性平面布局图；

图2-8、9A、9B、10、11A和11B是顺序地显示根据本发明构思的一示例性实施方式的制造半导体器件的方法的截面图，其中图9B和11B分别是图9A的部分IXb和图11A的部分XIb的放大的截面图；

图11C包括显示根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的主要部分的截面图和其放大图；

图12A和12B分别是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的主要部分的截面图和其放大图，其中图12B是图12A的部分XIIb的放大的截面图；

图13A和13B分别是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的主要部分的截面图和其放大图，其中图13B是图13A的部分XIIIb的放大的截面图；

图14A和14B分别是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的主要部分的截面图和其放大图，其中图14B是图14A的部分XIVb的放大的截面图；