[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示装置；所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一基板、形成于所述第一基板上的介电层、形成于所述介电层上的栅电极层、形成于所述栅电极层上的栅电极绝缘层、形成于所述栅电极绝缘层上的低温多晶硅层和掺杂层、以及形成于所述低温多晶硅层上的缓冲层。所述制作方法用于制作所述低温多晶硅薄膜晶体管，所述显示装置包括所述低温多晶硅薄膜晶体管。本发明克服了制作传统低温多晶硅薄膜晶体管时，其沟道遮光层金属薄膜图形化需要单独设计光罩而增加制作成本的缺陷。

技术领域

本发明涉及显示装置制作技术领域，具体涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示装置。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管（Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor，LTPS-TFT）具有载流子迁移率高，尺寸小等突出优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。为抑制LTPS-TFT在光照条件下产生光生电流，避免薄膜晶体管（Thin FilmTransistor, TFT）非故意开启，现有技术在制作低温多晶硅薄膜晶体管之前一层金属薄膜，通过曝光、显影、蚀刻等工艺将金属薄膜图形化，形成低温多晶硅薄膜晶体管的沟道遮光层（LS，Light Shielding）。

在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

例如图1所示传统的低温多晶硅薄膜晶体管的基板A上具有沟道遮光层B，在制作传统低温多晶硅薄膜晶体管时，低温多晶硅薄膜晶体管的沟道遮光层B金属薄膜图形化需要单独设计光罩，因此增加了低温多晶硅薄膜晶体管的制作成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示装置，以克服传统低温多晶硅薄膜晶体管时，其沟道遮光层金属薄膜图形化制作需要单独设计光罩而增加制作成本的缺陷。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括如下步骤：

提供第一基板和第二基板；

在第一基板上制作第一透光粘附层，在第二基板上制作第二透光粘附层；

在所述第二透光粘附层上制作缓冲层；

在所述缓冲层上制作低温多晶硅层和掺杂层；

在所述低温多晶硅层、掺杂层和缓冲层上制作栅电极绝缘层；

在所述栅电极绝缘层上制作栅电极层；

在所述栅电极层上制作介电层；

将所述第一基板与所述第二基板邦定，使所述第一透光粘附层粘接于所述介电层上；

将所述第二透光粘附层从所述缓冲层上剥离。

其中，所述在所述缓冲层上制作低温多晶硅层和掺杂层包括：

在所述缓冲层上制作低温多晶硅层；

在所述缓冲层上制作掺杂层，使得所述低温多晶硅层和所述掺杂层位于同一层。

其中，所述在所述缓冲层上制作低温多晶硅层包括：通过涂布光阻、曝光、显影及蚀刻工艺将低温多晶硅图形化形成低温多晶硅层。

其中，所述第一基板与所述第二基板通过高温烘烤工艺邦定。

其中，所述在所述缓冲层上制作掺杂层包括：

在所述低温多晶硅层一侧制作用于连接源极的源极接触区；

在所述低温多晶硅层另一侧制作用于连接漏极的漏极接触区。

其中，所述在所述栅电极绝缘层上制作栅电极层包括：通过涂布光阻、曝光、显影、蚀刻工艺将栅电极图形化形成栅电极层。