[发明专利]图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管

权利要求书

1.一种图形化衬底的制作方法，其特征在于，包括：

初始阶段：在衬底上形成具有初始形貌的图形化掩膜；

形貌形成阶段：通入第一刻蚀气体，在预设的第一刻蚀工艺参数下，形成具有预定形貌的图形化掩膜以及初步图形化衬底；

拐角形成抑制阶段：通入第二刻蚀气体，在预设的第二刻蚀工艺参数下，抑制所述具有预定形貌的图形化掩膜拐角的形成，直至所述具有预定形貌的图形化掩膜完全被刻蚀，以获得中间图形化衬底，其中，通过增大所述初步图形化衬底的底宽和/或减小所述具有预定形貌的图形化掩膜的收缩速度，能抑制所述具有预定形貌的图形化掩膜拐角的形成；

形貌修饰阶段：通入第三刻蚀气体，在预设的第三刻蚀工艺参数下，对所述中间图形化衬底的侧壁形貌进行修饰，以获得最终图形化衬底；

所述第二刻蚀气体包括主刻蚀气体和辅助刻蚀气体，通过调节所述辅助刻蚀气体在所述第二刻蚀气体中所占的比例，能够调整所述初步图形化衬底的底宽，其中，

所述辅助刻蚀气体在所述第二刻蚀气体中所占的比例与所述初步图形化衬底的底宽呈正相关。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，通过调节下电极功率的大小，能够调节所述具有预定形貌的图形化掩膜的收缩速度，其中，

所述下电极功率的大小与所述具有预定形貌的图形化掩膜的收缩速度呈正相关。

3.根据权利要求1所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括BCl₃，所述预设的第一刻蚀工艺参数满足下述条件：

腔室压力的范围为2mT～5mT、上电极功率的范围为1200W～2400W、下电极功率范围为500W-800W、所述第一刻蚀气体流量范围为100～150sccm、背吹气体He的压力范围为4T～6T、温度范围为10℃～30℃和刻蚀时间为10min～15min。

4.根据权利要求1所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述主刻蚀气体包括BCl₃，所述辅助刻蚀气体包括CHF₃或CH₄，所述预设的第二刻蚀工艺参数满足下述条件：

腔室压力的范围为2mT～5mT、上电极功率的范围为1200W～2400W、下电极功率范围为400W-700W、所述主刻蚀气体流量范围为100～150sccm、所述辅助刻蚀气体CHF₃或CH₄流量范围为15sccm～30sccm、背吹气体He的压力范围为4T～6T、温度范围为10℃～30℃和刻蚀时间为10min～20min。

5.根据权利要求1所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述第三刻蚀气体包括BCl₃，所述预设的第三刻蚀工艺参数满足下述条件：

腔室压力的范围为2mT～5mT、上电极功率的范围为1200W～2400W、下电极功率范围为700W-800W、所述第三刻蚀气体BCl₃流量范围为60～150sccm、背吹气体He的压力范围为4T～6T、温度范围为10℃～30℃和刻蚀时间为5min～10min。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，在所述形貌形成阶段，所述图形化掩膜的纵截面形貌从矩形变成三角形。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述图形化掩膜采用纳米压印工艺制作形成。