[发明专利]一种平板探测器结构在审
申请号: | 201810669217.X | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN109037253A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 黄翌敏;朱翀煜 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板探测器 感光区 边框 窄边框设计 柔性基板 探测盲区 有效范围 弯折 | ||
本发明提供一种平板探测器结构,采用柔性基板,通过对非有效感光区或有效感光区进行弯折操作后,改变非有效感光区的走向,从而扩大有效感光区的有效范围,降低平板探测器的边框距,进一步减少平板探测器的探测盲区,实现平板探测器的窄边框设计。
技术领域
本发明属于平板探测器领域,涉及一种平板探测器结构。
背景技术
数字化X射线摄影(Digital Radio Graphy,简称DR),是上世纪90年代发展起来的X射线摄影新技术,以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等显著优点,成为数字X射线摄影技术的主导方向,并得到世界各国的临床机构和影像学专家的认可。DR的技术核心是平板探测器,平板探测器是一种精密和贵重的设备,对成像质量起着决定性的作用,因此平板探测器包含探测器边框,以对平板探测器进行防护。
目前,安防、工业、医疗领域(例如乳腺检查)需要拍摄被测物体边缘部分的图像,但在相当多的情况下,被测物体由于位置或者结构所限,无法通过移动被测物来获得边缘区域的图像,比如乳腺检测时需要尽可能拍摄靠近胸壁侧组织图像,但是受制于胸骨,探测器边缘被限制,因此需要缩小边框距(从有效感光区边缘至探测器边框外侧边缘)以减小拍摄盲区;再如,爆炸物检测时,往往需要对爆炸物边缘部分进行拍摄以确定有无触发机构或者线缆布局,但是爆炸物不宜移动,对于靠近爆炸物安装面(如地面)部分的检测就需要通过窄边框探测器来实现。
现有的平板探测器,如图1~2所示,一般采用硬质基板100,由于受制于传感器的电路工艺以及封装技术等,有效感光区200外往往需要有外围电路如:读出电路400、驱动电路500及电路引线600等非感光区300,因此致使感光区200边缘距离非感光区300边缘具有水平非感光区边距L1及垂直非感光区边距W1,感光区200边缘距离探测器边框700边缘具有水平边框距L2及垂直边框距W2,致使即使采用超薄的探测器边框700也难以实现窄边框探测。
综上所述,提供一种新型的平板探测器结构,用于解决现有技术中由于平板探测器受制于有效感光区外的如读出电路、驱动电路及电路引线等非感光区,所造成的感光区边缘距离探测器边框边缘的距离较大,难以实现窄边框探测的问题已成为本领域亟待解决的问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种平板探测器结构,用于解决现有技术中由于平板探测器受制于有效感光区外的如读出电路、驱动电路及电路引线等非感光区,所造成的感光区边缘距离探测器边框边缘的距离较大,难以实现窄边框探测的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种平板探测器结构,包括:
柔性基板,包含柔性基板顶面及自所述柔性基板顶面边缘弯折的柔性基板侧面,所述柔性基板侧面与所述柔性基板顶面之间具有预设夹角,所述柔性基板侧面与所述柔性基板顶面之间由一柔性基板曲面连接;
有效感光区,覆盖所述柔性基板顶面;
非有效感光区,设置有所述平板探测器结构的外围电路,所述外围电路与所述有效感光区电连接;
探测器边框,位于所述有效感光区及非有效感光区外侧。
优选地,所述有效感光区完全覆盖所述柔性基板顶面。
优选地,所述柔性基板包括N≥2个所述柔性基板侧面。
优选地,所述柔性基板包括PET柔性基板及PI柔性基板中的一种。
优选地,所述柔性基板还包括由硬性保护层及柔性保护层所组成群组中的一种或组合。
优选地,所述柔性基板采用硬性保护层,且所述柔性基板曲面具有开槽。
优选地,所述有效感光区及所述非有效感光区包括柔性器件及由柔性器件与硬性器件结合所组成的群组中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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