[发明专利]用于嵌入式存储器应用的横向扩散MOSFET

权利要求书

1.一种高压MOSFET设备，其特征在于具有：

主体，所述主体为第一导电类型的半导体；

源极区，所述源极区位于源极有源区域处并且位于所述主体内或邻近所述主体设置，所述源极区为第二导电类型的半导体；

漂移区，所述漂移区为所述第二导电类型的轻掺杂半导体，所述漂移区邻近所述主体设置；

所述第二导电类型的漏极区，所述漏极区位于所述漂移区内并且充分地掺杂以提供与漏极触点的欧姆连接，所述漏极触点具有大于所述漏极区的宽度尺寸的宽度尺寸；以及

栅极，所述栅极覆盖所述主体的至少一部分和所述漂移区的至少一部分以在所述源极区与所述漂移区之间形成可控沟道，

其中所述漂移区中被所述栅极覆盖的部分与半导体材料交界，从而在所述可控沟道关闭时形成具有相反地偏置的PN结的耗尽区，并且其中所述漂移区的宽度尺寸充分小以使所述耗尽区延伸穿过所述漂移区的整个宽度。

2.根据权利要求1所述的高压MOSFET设备，其特征在于所述漂移区的所述宽度尺寸充分小以允许所述耗尽区的各部分相遇，以便充分地耗尽所述漂移区的自由载子。

3.根据权利要求1所述的高压MOSFET设备，其特征在于所述漏极区的所述宽度尺寸小于所述漂移区的所述宽度尺寸，并且其中所述漏极触点的所述宽度尺寸大于所述漂移区的所述宽度尺寸。

4.根据权利要求1所述的高压MOSFET设备，其特征在于所述栅极具有覆盖所述沟道的栅极触点。

5.根据权利要求1所述的高压MOSFET设备，其特征在于：

所述第二导电类型的漏极区，所述漏极区位于所述漂移区内并且充分地掺杂以提供与漏极触点的欧姆连接；以及

栅极氧化物，所述栅极氧化物将所述栅极与所述主体和所述漂移区隔开；

隔离体，所述隔离体在所述栅极与所述漏极区之间提供绝缘间隙，其中所述隔离体在具有氧化物填充物的所述漂移区中包括沟槽；以及

横向扩散体，所述横向扩散体在所述源极区与所述可控沟道之间形成桥，

其中所述源极区充分地掺杂以提供与源极触点的欧姆连接。

6.一种具有高压驱动器的存储器设备，所述存储器设备的特征在于：

存储器阵列，所述存储器阵列具有单元间距；

高压驱动器的并排阵列，以不超过所述单元间距两倍的方式沿所述存储器阵列的一侧布置，所述高压驱动器中的每一个在第一导电类型的半导体堆积体中包括：

所述第一导电类型的中度掺杂区域，所述中度掺杂区域用于充当主体；

源极有源区域处的源极区，所述源极区为第二导电类型的半导体并且位于所述主体内或邻近所述主体设置；

漂移区，所述漂移区为所述第二导电类型的轻掺杂半导体，所述漂移区邻近所述主体设置；以及

栅极，所述栅极覆盖所述主体的至少一部分和所述漂移区的至少一部分以在所述源极区与所述漂移区之间形成可控沟道，

其中相邻高压驱动器的源极有源区域之间的横向间隔小于所述相邻高压驱动器的漂移区之间的横向间隔。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，其特征在于在所述高压驱动器的每一个中：

所述漂移区中被所述栅极覆盖的部分与半导体材料交界，从而在所述可控沟道关闭时形成具有相反地偏置的PN结的耗尽区；并且

所述漂移区的宽度尺寸充分小以使所述耗尽区延伸穿过所述漂移区的整个宽度。

8.根据权利要求6所述的存储器设备，其特征在于在所述高压驱动器中的每一个还包括：

所述第二导电类型的漏极区，所述漏极区位于所述漂移区内并且充分地掺杂以提供与漏极触点的欧姆连接，所述漏极触点的宽度尺寸大于所述漂移区的宽度尺寸。

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，在所述高压驱动器的每一者中，所述漏极触点具有大于所述漏极区的宽度尺寸的宽度尺寸。

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中在所述高压驱动器的每一者中：

所述漏极区的宽度尺寸小于所述漂移区的宽度尺寸；以及

所述漏极触点的宽度尺寸大于所述漂移区的宽度尺寸。