[发明专利]RWG型DFB激光器脊条上图形窗口的实现工艺

权利要求书

1.一种RWG型DFB激光器脊条上图形窗口的实现工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：基片清洗；所述S1具体为：

S101、将基片放入事先准备好的洁净烧杯中，倒入丙酮溶液至浸没基片上表面1.5cm；将盛放基片的烧杯移入水浴加热槽加热3min，水浴加热温度设定范围为40℃～45℃；

S102、相同水浴条件下，用异丙醇处理基片表面，除去表面残留的丙酮有机液；

S103、用去离子水反复冲洗基片正反面2min，氮气风干；

S2：在基片表面旋涂双层光刻胶，通过曝光显影，将光刻版上的图案转移至基片表面；所述S2具体为：

S201、光刻前用六甲基硅氧烷对基片表面做预处理；

S202、选用LOR光刻胶，光刻胶黏度选用3Cst，甩胶参数为2500～3000rpm，45s得到胶厚为120nm的光刻胶；

S203、在170℃～175℃下进行55s～60s的前烘；

S204、二次甩胶，AZ ANR-001光刻胶的光刻胶黏度选用27cp，甩胶参数为1000rpm～1500rpm，50s得到胶厚为3μm的光刻胶；

S205、在110℃～115℃下进行80s～90s的前烘；光刻时长为7s～9s，显影时间为60s～65s；

S206、在110℃～115℃下进行110℃～120s的后烘；

S3：以光刻胶作掩膜，刻蚀出脊形波导结构；所述S3具体为：

为了从侧向限制光波，采用双沟型脊波导结构，脊条宽度范围是2μm～4μm，脊条深度范围为1.5μm～2μm，脊条两侧的凹槽宽度范围为10μm～20μm，波导结构的刻蚀采用的是SamcoICP-200仪器进行干法刻蚀，使用的刻蚀气体为Cl₂、CH₄和Ar；

S4：利用原子层沉积法沉积薄膜作为绝缘层；所述S4具体为：

采用Picosun R-200原子层沉积设备，用三甲基铝与臭氧O₃反应沉积225nm厚的Al₂O₃薄膜，沉积温度为150℃～350℃，前驱体脉冲时间为0.015s～0.02s，前驱体吹扫时间为5s；

S5：通过Lift-off剥离工艺，去除光刻胶连同脊波导上方的薄膜，完成脊条上图形开窗；所述S5具体为：

S501，将基片放入事先准备好的洁净烧杯中，倒入丙酮溶液至浸没基片表面1.5cm，首先静态浸泡2min；其后，将烧杯移入不锈钢加热超声槽，超声加热5min，水浴加热温度设定为40℃～45℃，直至光刻胶与基片表面全部脱离；

S502，相同处理条件下，用异丙醇处理基片表面，以除去表面残留的丙酮有机液；

S503，用去离子水反复冲洗基片正反面2min，氮气风干。