[发明专利]RWG型DFB激光器脊条上图形窗口的实现工艺有效

专利信息
申请号: 201810670020.8 申请日: 2018-06-26
公开(公告)号: CN108649428B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 曲迪;白国人;陈墨;梁娟;宋学颖 申请(专利权)人: 天津华慧芯科技集团有限公司;华慧高芯科技(深圳)有限公司
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/22;G03F7/00
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 蒙建军
地址: 300467 天津市滨海新区生态城*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: rwg dfb 激光器 脊条上 图形 窗口 实现 工艺
【权利要求书】:

1.一种RWG型DFB激光器脊条上图形窗口的实现工艺,其特征在于,包括以下步骤:

S1:基片清洗;所述S1具体为:

S101、将基片放入事先准备好的洁净烧杯中,倒入丙酮溶液至浸没基片上表面1.5cm;将盛放基片的烧杯移入水浴加热槽加热3min,水浴加热温度设定范围为40℃~45℃;

S102、相同水浴条件下,用异丙醇处理基片表面,除去表面残留的丙酮有机液;

S103、用去离子水反复冲洗基片正反面2min,氮气风干;

S2:在基片表面旋涂双层光刻胶,通过曝光显影,将光刻版上的图案转移至基片表面;所述S2具体为:

S201、光刻前用六甲基硅氧烷对基片表面做预处理;

S202、选用LOR光刻胶,光刻胶黏度选用3Cst,甩胶参数为2500~3000rpm,45s得到胶厚为120nm的光刻胶;

S203、在170℃~175℃下进行55s~60s的前烘;

S204、二次甩胶,AZ ANR-001光刻胶的光刻胶黏度选用27cp,甩胶参数为1000rpm~1500rpm,50s得到胶厚为3μm的光刻胶;

S205、在110℃~115℃下进行80s~90s的前烘;光刻时长为7s~9s,显影时间为60s~65s;

S206、在110℃~115℃下进行110℃~120s的后烘;

S3:以光刻胶作掩膜,刻蚀出脊形波导结构;所述S3具体为:

为了从侧向限制光波,采用双沟型脊波导结构,脊条宽度范围是2μm~4μm,脊条深度范围为1.5μm~2μm,脊条两侧的凹槽宽度范围为10μm~20μm,波导结构的刻蚀采用的是SamcoICP-200仪器进行干法刻蚀,使用的刻蚀气体为Cl2、CH4和Ar;

S4:利用原子层沉积法沉积薄膜作为绝缘层;所述S4具体为:

采用Picosun R-200原子层沉积设备,用三甲基铝与臭氧O3反应沉积225nm厚的Al2O3薄膜,沉积温度为150℃~350℃,前驱体脉冲时间为0.015s~0.02s,前驱体吹扫时间为5s;

S5:通过Lift-off剥离工艺,去除光刻胶连同脊波导上方的薄膜,完成脊条上图形开窗;所述S5具体为:

S501,将基片放入事先准备好的洁净烧杯中,倒入丙酮溶液至浸没基片表面1.5cm,首先静态浸泡2min;其后,将烧杯移入不锈钢加热超声槽,超声加热5min,水浴加热温度设定为40℃~45℃,直至光刻胶与基片表面全部脱离;

S502,相同处理条件下,用异丙醇处理基片表面,以除去表面残留的丙酮有机液;

S503,用去离子水反复冲洗基片正反面2min,氮气风干。

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