[发明专利]检测晶圆缺陷的方法和系统

说明书

本发明提供了一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：获取待检测晶圆的至少一部分的红外热成像图；根据所述红外热成像图，识别所述待检测晶圆的缺陷。本发明提供了一种检测晶圆缺陷的方法和装置，通过获取待检测晶圆的红外热成像图，将待检测晶圆的能量信息转化为图像信息，识别待检测晶圆的缺陷，克服了人工目检的随机性，也无需昂贵的扫描机，提高了晶圆缺陷检测的准确性，降低了成本。

技术领域

本发明主要涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测晶圆缺陷的方法和系统。

背景技术

在半导体晶圆制造过程中，晶圆背面作为与生产测量机台的物理接触面会产生许多诸如刮伤、局部腐蚀的缺陷。这些缺陷会造成晶圆在后续制程与机台接触不良或晶圆破裂。

目前通常采用晶背缺陷扫描机台对晶圆背面缺陷进行检测或是拍照后以人工目检的方式进行缺陷检验。采用晶背缺陷扫描机台进行缺陷检测存在两个问题：第一，晶背缺陷扫描机台价格昂贵；第二，晶背缺陷扫描机台检测晶圆时间较长，导致产能受限。采用人工目检方式进行检验受人为因素影响很大，且由于拍照距离方位等都不固定，照片上的晶背缺陷的尺寸和位置等信息无法被准确测量。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供检测晶圆缺陷的方法和系统，可以快速、准确和低成本地检测晶圆缺陷。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取待检测晶圆的至少一部分的红外热成像图；

根据所述红外热成像图，识别所述待检测晶圆的缺陷。

在本发明的一实施例中，获取所述待检测晶圆的背面的至少一部分的红外热成像图。

在本发明的一实施例中，所述探测器适于检测所述待检测晶圆主动散发的红外线。

在本发明的一实施例中，根据所述红外热成像图，识别所述待检测晶圆的缺陷的方法包括图像识别算法。

在本发明的一实施例中，在识别所述待检测晶圆的缺陷后，还包括：

确定所述缺陷在所述待检测晶圆中的位置。

在本发明的一实施例中，确定所述缺陷在所述待检测晶圆中的位置的步骤包括：

在所述待检测晶圆中确定第一参考点；

在所述红外热成像图中确定与所述第一参考点对应的第二参考点；

确定所述缺陷在所述红外热成像图中相对于所述第二参考点的位置；

根据所述红外热成像图与所述待检测晶圆的对应部分的实际尺寸的比例，确定所述缺陷在所述待检测晶圆中相对于所述第一参考点的位置。

在本发明的一实施例中，还包括根据所述缺陷在所述待检测晶圆中的位置形成缺陷分布图。

在本发明的一实施例中，还包括如下步骤：

将所述红外热成像图调整到与所述待检测晶圆的对应部分一致的尺寸；

在所述待检测晶圆中确定第一参考点；

在所述红外热成像图中确定与所述第一参考点对应的第二参考点；

确定所述缺陷在所述红外热成像图中相对于所述第二参考点的位置；

根据所述缺陷在所述待检测晶圆中相对于所述第一参考点的位置与所述缺陷在所述红外热成像图中相对于所述第二参考点的位置相同，确定所述缺陷在所述待检测晶圆中的位置。

本发明还提供一种检测晶圆缺陷的装置，其特征在于，包括：

图像获取模块，用于获取待检测晶圆的至少一部分的红外热成像图；