[发明专利]一种瞬态材料及其成型方法有效
申请号: | 201810673036.4 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108948298B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 刘东青;张松鹤;程海峰 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | C08G2/08 | 分类号: | C08G2/08;B29C67/24 |
代理公司: | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人: | 魏龙霞 |
地址: | 410000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 瞬态 材料 及其 成型 方法 | ||
本发明公开了一种瞬态材料,为未经封端的均聚甲醛,该瞬态材料的成型方法,包括以下步骤:(1)将三聚甲醛和环己烷混合均匀,形成溶液;(2)在步骤(1)的溶液中加入催化剂三氟化硼乙醚,进行反应;(3)将步骤(2)反应结束后得到的产物进行离心洗涤、干燥;(4)采用气相沉积法,将步骤(3)制备的产物置于密闭容器中,并用基片固定在其上方,然后加热,使步骤(3)中的产物在基片上沉积,即完成瞬态材料的成型。本发明首次提出将未封端的均聚甲醛作为瞬态材料,本发明提供的瞬态材料成型方法简便高效,成型后的均聚甲醛材料仍具有良好的热触发瞬态性能,可作为瞬态电子器件的封装材料、衬底材料等,具有广阔的实际应用价值。
技术领域
本发明属于电子材料领域,具体涉及一种瞬态材料及其成型方法。
背景技术
瞬态电子器件是指当所制备的电子功能器件在完成指定功能后,其物理形态和功能可在外界刺激触发下立即发生部分或者完全消失的一种新兴电子器件。瞬态材料指在不触发的条件下具有一定的稳态性能,在外界刺激触发后又能够物理结构消失的材料。瞬态材料是瞬态电子器件的基础,瞬态电子器件由瞬态电极材料、瞬态介质材料、瞬态衬底材料、瞬态封装材料等部分构成。瞬态电子器件与传统的电子器件有着非常大的不同,耐久性和可靠性是传统电子器件所追求的目标,而瞬态电子器件则在保证其使用性能的前提下追求物理结构或组成材料能够以可控的方式实现消失,在生物医学、环境保护、信息安全防护等方面有重要价值。
目前能做到完全消失的瞬态材料,其瞬态周期都比较长(几天甚至几十天),瞬态周期过长使瞬态材料失去了其瞬态的意义;而且因为瞬态材料的瞬态性能和常规的成型工艺兼容性差,导致瞬态材料的成型工艺有限,这成为限制瞬态材料应用的一个关键因素。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服以上背景技术中提到的不足和缺陷,提供一种采用未经封端的均聚甲醛作为瞬态材料,用于瞬态电子器件的衬底和封装材料,并提供一种基于均聚甲醛的瞬态材料的成型方法。
为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为:
一种瞬态材料,所述瞬态材料为未经封端的均聚甲醛。
作为一个总的发明构思,本发明还提供一种上述的瞬态材料成型方法,包括以下步骤:
(1)将三聚甲醛和环己烷混合均匀,形成溶液;
(2)在步骤(1)的溶液中加入催化剂三氟化硼乙醚,进行反应;
(3)将步骤(2)反应结束后得到的产物进行离心洗涤、干燥,得到产物;
(4)采用气相沉积法,将步骤(3)制备的产物置于密闭容器中,并用基片固定在其上方,然后加热,使步骤(3)中的产物在基片上沉积,即完成瞬态材料的成型。
上述的成型方法,优选的,步骤(4)中,加热的温度为110℃~270℃。更优选的,所述加热温度为200℃~250℃。
上述的成型方法,优选的,步骤(4)中,密闭容器压力为0.01atm~1.0atm。
上述的成型方法,优选的,所述基片为硅片、玻璃片、金属片和塑料片中的任一种。
上述的成型方法,优选的,步骤(2)中,反应的温度为20~50℃,反应的时间为1~2h。
上述的成型方法,优选的,步骤(3)中,所述干燥为真空干燥,干燥的温度为50~60℃,干燥的时间为1~2h。
上述的成型方法,优选的,所述三聚甲醛和环己烷的摩尔比为(0.6~2):1;所述催化剂三氟化硼乙醚与三聚甲醛的摩尔比为(0.007~0.015):1。
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