[发明专利]集成电路存储器及其制备方法、半导体器件

权利要求书

1.一种集成电路存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底中形成有多个有源区以及与所述有源区相交的多条字线，每一所述有源区上设置有一位线接触，所述位线接触位于相邻两条所述字线之间的所述基底上；

形成一第一间隔材料层在所述基底上，所述第一间隔材料层覆盖所述字线与所述位线接触；

刻蚀所述第一间隔材料层，以形成多个第一开口，每一所述第一开口暴露出相邻的两个位线接触以及位于所述相邻的两个位线接触之间的所述字线；

形成一阻挡层在所述第一开口的底部及侧壁，并部分填充一导电层在所述第一开口内，以形成第二开口，所述导电层覆盖所述位线接触和所述字线；

填充一绝缘材料层在所述第二开口内，所述绝缘材料层覆盖所述导电层，并刻蚀所述绝缘材料层至暴露出部分所述导电层，以形成第三开口，所述第三开口位于所述字线的正上方；

以剩余的所述绝缘材料层为掩膜通过所述第三开口刻蚀所述导电层和所述阻挡层，以形成暴露所述字线的通孔；

填充第二间隔材料层在所述通孔内，利用所述第二间隔材料层覆盖所述字线并隔离位于其两侧的导电层，其中位于所述第二间隔材料层两侧的所述导电层的底部经由所述阻挡层与所述位线接触电性连接，所述阻挡层还延伸覆盖于所述导电层位于所述第一间隔材料层的侧面，以构成所述集成电路存储器的位线。

2.如权利要求1所述的集成电路存储器的制备方法，其特征在于，形成所述阻挡层之前，还包括：形成一隔离层在所述第一间隔材料层的侧壁。

3.如权利要求2所述的集成电路存储器的制备方法，其特征在于，部分填充所述导电层以形成所述第二开口的步骤包括：

形成一导电材料层在所述基底上，所述导电材料层覆盖所述第一间隔材料层并填满所述第一开口；

回刻蚀所述导电材料层直至剩余部分厚度的所述导电材料层在所述第一开口中，以形成所述导电层并界定出所述第二开口。

4.如权利要求3所述的集成电路存储器的制备方法，其特征在于，在对所述导电材料层进行刻蚀的同时还对所述阻挡层进行刻蚀，使得所述导电层侧壁上的所述阻挡层的上表面与所述导电层的上表面平齐。

5.如权利要求1所述的集成电路存储器的制备方法，其特征在于，形成所述第一开口的步骤包括：

形成一光刻胶层在所述第一间隔材料层上；

图形化所述光刻胶层以形成多个第一凹槽，所述第一凹槽暴露部分所述第一间隔材料层；

修剪剩余的所述光刻胶层，以扩大所述第一凹槽的开口尺寸并构成第二凹槽，所述第二凹槽的间隔宽度对应等于所述第一开口的间隔宽度；

以剩余的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一间隔材料层，以形成所述第一开口。

6.如权利要求5所述的集成电路存储器的制备方法，其特征在于，修剪剩余的所述光刻胶层的方法包括：等离子体轰击所述光刻胶层的所述第一凹槽的侧壁。

7.如权利要求1所述的集成电路存储器的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘材料层和所述第三开口的步骤包括：

形成一绝缘材料层在所述基底上，所述绝缘材料层覆盖所述第一间隔材料层并填充所述第二开口，且所述绝缘材料层对应所述第二开口的上表面顺应所述第二开口的形貌凹陷，以界定出一第三凹槽，所述第三凹槽的间隔宽度小于所述第二开口的间隔宽度；

刻蚀所述绝缘材料层，在所述第三凹槽的下方形成所述第三开口，所述第三开口暴露出部分所述导电层。

8.如权利要求1所述的集成电路存储器的制备方法，其特征在于，所述基底中还形成有至少一个隔离结构，所述隔离结构隔离相邻的所述有源区。