[发明专利]一种带优化反射层的黄绿光LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种带优化反射层的黄绿光LED外延结构，其特征在于，包括自下而上依次设置的GaAs衬底(1)、AlGaAs缓冲层(2)、GaAsP缓冲层(3)、AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅰ(4)、AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅱ(5)、AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅲ(6)、AlInP/AlGaInP DBR层(7)、N-AlInP限制层(8)、AlGaInP N波导层(9)、AlGaInP量子阱有源层(10)、AlGaIn P波导层(11)、AlIn P限制层(12)以及GaP窗口处(13)，所述AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅰ(4)的波长大于AlGaAsP/AlAsPDBR层Ⅱ(5)的波长，所述AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅱ(5)的波长大于AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅲ(6)的波长。

2.根据权利要求1所述的带优化反射层的黄绿光LED外延结构，其特征在于：所述AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅰ(4)的波长为600nm，所述AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅱ(5)的波长为580nm，所述AlGaAsP/AlAsP DBR层Ⅲ(6)的波长为570nm。

3.一种带优化反射层的黄绿光LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)将GaAs衬底(1)放入反应室，在300-800℃的温度范围内生长一层材料为Al_nGa_1-nAs的Al_nGa1缓冲层(2)，其中n的取值为≤0.99，载流子浓度为1E17cm^-3-5E18cm^-3；

b)保持300-800℃的温度，关闭Al源，通入PH₃，在Al_nGa1缓冲层(2)上生长一层GaAsP缓冲层(3)；

c)将温度调整至700-500℃，通入PH₃,调整生长厚度生长反射600nm光谱的1-30对材料为Al_xGa_1-xAsP/AlAsP DBR的AlAsP/AlGaAsP DBR层Ⅰ(4)，其中x取值为≤0.5；

d)将温度调整至650-700℃，通入PH₃，生长反射580nm光谱的1-30对材料为Al_xGa_1-xAsP/AlAsP DBR的AlAsP/AlGaAsP DBR层Ⅱ(5)，其中x取值为≤0.5；

e)将温度调整至600-650℃，通入PH₃，生长反射570nm光谱的1-30对材料为Al_xGa_1-xAsP/AlAsP DBR的AlAsP/AlGaAsP DBR层Ⅲ(6)，其中x取值为≤0.5；

f)将温度调整至600-750℃，在AlAsP/AlGaAsP DBR层Ⅲ(6)生长一层AlInP/AlGaInPDBR层(7)；

g)将温度保持600-750℃，在AlInP/AlGaInP DBR层(7)生长一层AlInP材料作为N限制层的AlInP N限制层(8)；

h)将温度保持600-750℃，在AlInP N限制层(8)上生长一层AlGaInP N波导层(9)，不掺杂；

i)将温度保持600-750℃，在AlGaInP N波导层(9)上生长一层材料为AlGaInP的AlGaInP量子阱有源层(10)，不掺杂；

g)将温度保持600-750℃，在AlGaInP量子阱有源层(10)上生长AlGaInP P波导层(11)，不掺杂；

k)将温度保持600-750℃，在AlGaInP P波导层(11)上生长AlInP P限制层(12)；

l)将温度调整至650-830℃，在AlInP P限制层(12)上生长GaP窗口层(13)。