[发明专利]一种钇铝石榴石晶体的高效化学机械抛光方法有效

专利信息
申请号: 201810675798.8 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN108838745B 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 金洙吉;安润莉;张自力;韩晓龙;康仁科;朱祥龙 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B37/00;B24B37/11;C09G1/02
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 李晓亮;潘迅
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 抛光垫 钇铝石榴石晶体 化学机械抛光 钇铝石榴石 高效化学 机械抛光 晶片 化学机械抛光液 磨料 化学反应试剂 材料去除率 超精密加工 超声震荡 氢氧化钠 硬脆材料 低损伤 氧化锆 水中 修整 添加剂 离子 配制
【权利要求书】:

1.一种钇铝石榴石晶体的高效化学机械抛光方法,其特征在于,包含以下步骤:

第一步,配制化学机械抛光液

室温下,将磨料氧化锆、化学反应试剂氢氧化钠、添加剂加入去离子水中,超声震荡后得到化学机械抛光液,所述的添加剂为十二烷基苯磺酸钠、聚甲基丙烯酸纳、异丙醇、聚乙二醇20000的一种或两种以上组合物;化学机械抛光液中,所述的氧化锆浓度为0.04~0.1g/ml,氧化锆粒径为0.03-1μm;所述的氢氧化钠浓度为0.03~0.07g/ml;所述的十二烷基苯磺酸钠浓度为0.25g/L,聚甲基丙烯酸纳浓度为2g/L,异丙醇浓度为2g/L,聚乙二醇20000浓度为1g/L;

第二步,采用IC1000抛光垫作为化学机械抛光用抛光垫,修整抛光垫;

第三步,对钇铝石榴石晶体进行化学机械抛光,能够达到2nm/min的材料去除率,加工1小时后获得表面粗糙度Ra小于1nm的YAG晶体表面。

2.根据权利要求1所述的一种钇铝石榴石晶体的高效化学机械抛光方法,其特征在于,所述的氧化锆浓度优选为0.04g/ml,氧化锆粒径优选为1μm;所述的氢氧化钠浓度优选为0.07g/ml。

3.根据权利要求1或2所述的一种钇铝石榴石晶体的高效化学机械抛光方法,其特征在于,化学机械抛光参数为:抛光压力1-4N/cm2,抛光盘转速40-100r/min,抛光液流量6-9ml/min。

4.根据权利要求1或2所述的一种钇铝石榴石晶体的高效化学机械抛光方法,其特征在于,所述的第一步中超声震荡时间为30min。

5.根据权利要求3所述的一种钇铝石榴石晶体的高效化学机械抛光方法,其特征在于,所述的第一步中超声震荡时间为30min。

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