[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一基板，在所述基板上覆盖缓冲层；

步骤S2、在所述缓冲层上制备多晶硅层，使得所述多晶硅层形成有位于两端的源极掺杂区、漏极掺杂区以及中间的沟道区，并进一步在所述多晶硅层上制备栅绝缘层；

步骤S3、在所述栅绝缘层上制备具有吸收光能而减弱光反射效果的金属物减反膜层，并在所述金属物减反膜层上制备第一金属层，且进一步采用指定光罩对所述金属物减反膜层和所述第一金属层同时进行曝光、蚀刻、显影制程，得到位于所述多晶硅层的沟道区上方的低反射层及栅极；

步骤S4、在所述缓冲层的上方制备间绝缘层，且所述间绝缘层覆盖在所述缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、低反射层及栅极上，并在所述间绝缘层上开设有第一过孔和第二过孔；其中，所述第一过孔还贯穿所述栅绝缘层并与所述多晶硅层的源极掺杂区连接；所述第二过孔还贯穿所述栅绝缘层并与所述多晶硅层的漏极掺杂区连接；

步骤S5、在所述间绝缘层上制备第二金属层，且所述第二金属层通过所述第一过孔和所述第二过孔分别与所述多晶硅层的源极掺杂区及漏极掺杂区连接，并通过曝光、蚀刻、显影制程，得到与所述多晶硅层的源极掺杂区连接的源极和与所述多晶硅层的漏极掺杂区连接的漏极；

步骤S6、在所述间绝缘层、源极及漏极上覆盖有机膜层，并在所述有机膜层上制备公共电极；

步骤S7、在所述有机膜层及所述公共电极上覆盖钝化层，并在所述钝化层上开设有第三过孔；其中，所述第三过孔还贯穿所述有机膜层并与所述源极或所述漏极连接；

步骤S8、在所述钝化层上制备像素电极，且所述像素电极通过所述第三过孔与所述源极或所述漏极连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

在所述栅绝缘层上依次沉积金属物减反膜层及第一金属层，并在所述第一金属层上涂抹一层光刻胶；其中，金属物减反膜层的制备材料为由Mo、Cr、Ti、Ni、Mo-Ti之中任一种金属形成的金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物；所述第一金属层的制备材料为Mo、Cr、Ti、Ni、Mo-Ti之中任一种金属；

采用指定光罩对所述第一金属层上的光刻胶进行曝光，使得所述光刻胶图形化为所需的光阻图案，并对所述光阻图案中未被光刻胶覆盖的区域进行蚀刻，且进一步待所述光阻图案中未被光刻胶覆盖的区域蚀刻完成后，去除所述光阻图案中覆盖的光刻胶，得到位于所述多晶硅层的沟道区上方的低反射层及栅极。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述光阻图案中未被光刻胶覆盖的区域进行蚀刻采用干法刻蚀制程来实现；所述去除所述光阻图案中被光刻胶覆盖的区域上的光刻胶采用湿法刻蚀制程来实现。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述低反射层与所述多晶硅层的沟道区等长，且所述低反射层与所述多晶硅层的沟道区的中心点在同一轴线上。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的源极掺杂区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区；所述漏极掺杂区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区。