[发明专利]阵列基板、液晶显示屏及阵列基板制造方法

说明书

本发明提供了本发明所述的阵列基板，其包括玻璃基板、像素电极、绝缘层、源极、漏极、有源层、钝化层和栅极，所述像素电极设于玻璃基板的表面，所述绝缘层覆盖所述像素电极和玻璃基板，所述绝缘层包括呈阶梯设置的第一台面和第二台面，所述源极设于所述第一台面上，所述漏极设于第二台面并穿过所述绝缘层与所述像素电极连接，所述有源层位于所述第一台面和第二台面上并连接源极和漏极之间，所述钝化层覆盖所述源极、漏极及有源层，所述栅极位于所述钝化层上与所述有源层相对设置。

技术领域

本发明涉及液晶显示屏制造技术领域，特别涉及一种阵列基板、液晶显示屏及阵列基板制造方法。

背景技术

在TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal)薄膜晶体管显示器中，阵列基板通常使用的TFT器件结构为源极与漏极在同一层，栅极与源极漏极平行设置位于源漏极下一层，此类结构占用阵列基板的横向面积较大，在基板有限空间内会影响开口率，而且多次采用高温制程，影响TFT产品的柔韧性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高开口率的阵列基板、液晶显示屏以及阵列基板制作方法。

本发明所述的阵列基板，其包括玻璃基板、像素电极、绝缘层、源极、漏极、有源层、钝化层和栅极，所述像素电极设于玻璃基板的表面，所述绝缘层覆盖所述像素电极和玻璃基板，所述绝缘层包括呈阶梯设置的第一台面和第二台面，所述源极设于所述第一台面上，所述漏极设于第二台面并穿过所述绝缘层与所述像素电极连接，所述有源层位于所述第一台面和第二台面上并连接源极和漏极之间，所述钝化层覆盖所述源极、漏极及有源层，所述栅极位于所述钝化层上与所述有源层相对设置。

其中，所述绝缘层为有机感光型材料制成。

其中，所述绝缘层的第二台面上设有贯穿所述绝缘层的过孔，所述漏极穿过过孔与所述像素电极连接。

本发明所述的阵列基板制作方法，其包括，在玻璃基板上形成像素电极和覆盖像素电极的绝缘材料层，其中，所述绝缘材料层为有机感光型材料形成；

通过光刻掩膜板对绝缘材料层图案化形成绝缘层，其中，所述绝缘层包括呈阶梯设置的第一台面和第二台面及贯穿第二台面的过孔，第一台面高于第二台面；

在所述绝缘层上形成金属层并图案化所述金属层形成源极和漏极，其中，源极位于所述第一台面上，漏极位于第二台面上且通过所述过孔与所述像素电极连接；

在所述第一台面和第二台面上形成连接于所述源极与漏极之间的有源层；

在有源层、源极、漏极及绝缘层上形成钝化层；

在钝化层上形成栅极，其中栅极位于所述有源层之上。

其中，通过光刻掩膜板对绝缘材料层图案化形成绝缘层的步骤包括：

提供一掩膜板，掩膜板包括不透光区、两个半透光区及位于两个半透光区之间的全透光区；

将掩膜板放置于所述绝缘材料层上方并进行光罩，在所述绝缘材料层上形成与所述不透光区对应所述第一台面，与两个所述半透光区对应的第二台面，及与所述全透光区对应的所述过孔。

其中，所述掩膜板为半色调掩膜板。

其中，在所述绝缘层上形成金属层并图案化所述金属层形成源极和漏极的步骤中，是通过在所述绝缘层上通过气相沉积、或者涂布或打印方法制作金属层，通过光刻工艺及蚀刻工艺图案化所述金属层，形成所述源极和漏极。

其中，在所述第一台面和第二台面上形成连接于所述源极与漏极之间的有源层的步骤中，采用物理气相沉积、化学气相沉积、涂布或打印方法制作有源膜层，并光刻工艺及蚀刻图案化有源膜层，在所述第一台面、第一台面与第二台面连接处及第二台面上形成所述有源层。