[发明专利]一种集成电路用折叠式差分转单端放大器

说明书

本发明涉及差分放大器，具体涉及一种集成电路用折叠式差分转单端放大器，包括输入巴伦，输入巴伦的输入端与前级驱动模块的输出端相连，前级驱动模块的输入端与信号输入端相连，用于接收输入信号，输入巴伦的输出端与匹配网络的输入端相连，匹配网络的输出端与差分管对的输入端相连，匹配网络的输出端还与偏置网络相连，差分管对的输出端与输出巴伦相连，输出巴伦与信号输出端相连，输入巴伦包括两个差分输出接口和两个栅极电压接口，差分管对包括两个晶体管，输出巴伦包括两个晶体管漏极接口、两个接地接口、两个电容接口、一个漏极偏置接口和一个输出接口；本发明所提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的占用空间大、损耗高的缺陷。

技术领域

本发明涉及差分放大器，具体涉及一种集成电路用折叠式差分转单端放大器。

背景技术

差分放大器因为其具有抑制共模信号、减少偶次谐波分量、抑制奇模振荡等诸多优势，在硅(Si)基电路，例如互补金属氧化半导体场效应晶体管(Complementary MetalOxide Semiconductor，CMOS)中得到了广泛的应用。作为第三代半导体的代表，氮化镓(GaN)器件具有高压、高频、大功率密度等优势，因此基于GaN器件的差分放大器能够突破硅基电路中功率输出的限制。

然而，现有的基于GaN器件的差分放大器，依然存在占用空间大、损耗高、工作频率低、功放效率低等缺点。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术所存在的上述缺点，本发明提供了一种集成电路用折叠式差分转单端放大器，能够有效克服现有技术所存在的占用空间大、损耗高的缺陷。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种集成电路用折叠式差分转单端放大器，包括输入巴伦，所述输入巴伦的输入端与前级驱动模块的输出端相连，所述前级驱动模块的输入端与信号输入端相连，用于接收输入信号，所述输入巴伦的输出端与匹配网络的输入端相连，所述匹配网络的输出端与差分管对的输入端相连，所述匹配网络的输出端还与偏置网络相连，所述差分管对的输出端与输出巴伦相连，所述输出巴伦与信号输出端相连；

所述输入巴伦包括两个差分输出接口和两个栅极电压接口，所述差分管对包括两个晶体管，所述输出巴伦包括两个晶体管漏极接口、两个接地接口、两个电容接口、一个漏极偏置接口和一个输出接口；

所述两个晶体管的源极相连并接地，所述两个差分输出接口分别对应与两个晶体管的栅极连接，所述两个栅极电压接口均与栅极偏置端连接，所述两个晶体管漏极分别对应与两个晶体管的漏极接口连接，两个接地接口接地，两个电容接口与电容连接，一个漏极偏置接口与漏极偏置端连接，一个输出接口与信号输出端连接。

优选地，所述输入巴伦由上层金属环和下层金属环重叠构成，所述上层金属环和下层金属环均是由水平单层金属片构成，所述上层金属环和下层金属环均留有一个断口。

优选地，所述上层金属环的断口处延伸出单端输入端和输入巴伦接地端，所述单端输入端与前级驱动模块的输出端相连，所述输入巴伦接地端接地。

优选地，所述下层金属环的断口处延伸出两个差分输出端，所述两个差分输出端与两个匹配网络对应相连，所述下层金属环还包括输入巴伦中心抽头，所述输入巴伦中心抽头接地。

优选地，所述上层金属环的输入巴伦接地端与下层金属环的输入巴伦中心抽头通过输入巴伦通孔连接。

优选地，所述输入巴伦的上层金属环和下层金属环的重叠部分为矩形结构，所述输入巴伦通过矩形结构的四条边进行垂直耦合。