[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810677158.0 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110649167A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 苏亮;谢相伟;黄航;眭俊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点 发光二极管 阴极 阳极 发光层 空穴传输层 叠层 发光二极管显示屏 界面层材料 溶液法制备 空穴 依次层叠 功函数 界面层 制备 应用 表现 | ||
1.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极及设置在所述阳极和阴极之间的叠层，其特征在于，所述叠层包括依次层叠设置的空穴传输层、界面层和量子点发光层，所述空穴传输层靠近所述阳极一侧设置，所述量子点发光层靠近所述阴极一侧设置，所述界面层材料为功函数6.0eV以上的n型半导体。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层为功函数为6.0~7.0eV的n型半导体。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料选自MoO3、WO3、V2O5和HAT-CN中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的厚度为0.2~20nm。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的厚度为3~10nm。
6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括： 提供基板，所述基板表面包括空穴传输层，在所述空穴传输层上制备界面层；
或者，提供基板，所述基板表面包括量子点发光层，在所述量子点发光层上制备界面层；
其中，所述界面层材料为功函数6.0eV以上的n型半导体。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，采用溶液法或蒸镀法制备所述界面层。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，采用溶液法制备所述界面层，采用的溶剂为水性溶剂。
9.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，采用溶液法制备所述界面层，所述界面层的厚度为1~20nm；
和/或所述界面层材料选自MoO3、WO3和V2O5中的一种或多种。
10.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，采用蒸镀法制备所述界面层，所述界面层的厚度为0.2~20nm；
和/或所述界面层材料选自MoO3、WO3、V2O5和HAT-CN中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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