[发明专利]一种用于近场二维扫描的基片集成波导漏波缝隙阵天线有效

专利信息
申请号: 201810677187.7 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN108832293B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 程钰间;吴亚飞;柏航;樊勇;宋开军;张波;林先其;张永鸿 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q1/48 分类号: H01Q1/48;H01Q13/22;H01Q21/06
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢;葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 近场 二维 扫描 集成 波导 缝隙 天线
【权利要求书】:

1.一种用于近场二维扫描的基片集成波导漏波缝隙阵天线,其特征在于:该天线为平面结构,从下往上依次包括层叠的下金属覆铜层(1)、介质基板层(2)及上金属覆铜层(3),所述介质基板层(2)内有位于基板始端的若干排单排金属化通孔线列(21)和与之相连的双排金属化通孔线列(22),每排金属通孔线列均包括若干金属化通孔,每个金属化通孔均贯穿下金属覆铜层(1)和上金属覆铜层(3),所述若干排单排金属化通孔(21)相邻两排间距为a和b,间距不同以产生馈电相位差,所述双排金属化通孔(22)相邻两排之间距离c均相同,构成基片集成波导结构;所述上金属覆铜层(3)上开设有垂直贯穿上金属覆铜层(3)的若干排缝隙,其中各排缝隙的缝隙位置各不相同,上下交错排布形成三角结构,所述各排缝隙均由若干个沿相邻两行双排金属化通孔线列中心线(5)上下排布的横向辐射缝隙组成;沿天线馈电端到匹配端方向,相邻横向辐射缝隙之间的间距逐渐减小,以产生近场聚焦所需相位分布,所述下金属覆铜层(1)为完整的金属,为天线提供金属地。

2.根据权利要求1所述的一种用于近场二维扫描的基片集成波导漏波缝隙阵天线,其特征在于:相邻横向辐射缝隙之间的间距各不相同,以产生近场聚焦所需相位分布,其位置满足:

其中lij为缝隙第i排第j个缝隙的位置,l0为馈电口位置,为聚焦在频扫维度所需的相位分布,β是基片集成波导内的相位传播常数,N*是非零的正整数。

3.根据权利要求1所述的一种用于近场二维扫描的基片集成波导漏波缝隙阵天线,其特征在于:整个天线口径面上共有15排缝隙,各排缝隙由18根沿相邻两行双排金属化通孔线列中心线(5)上下排布的横向缝隙组成。

4.根据权利要求1所述的一种用于近场二维扫描的基片集成波导漏波缝隙阵天线,其特征在于:各辐射缝隙有相同的缝隙宽度和长度;从天线馈电端到匹配端,第j排的第i个缝隙和第j+1排的第i个缝隙距离相邻两行双排金属化通孔线列中心线的偏移距离相等,i≥1,j≥1。

5.根据权利要求1所述的一种用于近场二维扫描的基片集成波导漏波缝隙阵天线,其特征在于:所述单排金属化通孔线列(21)的总长度为l,相邻两排间距为a和b,对应的基片集成波导内的传播常数分别为β1和β2,则产生的馈电相位差为:

Δψ=(β12)l。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810677187.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top