[发明专利]一种提高压敏电阻通流容量的方法

权利要求书

1.一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）按照质量份数，准备原料组分：氧化锌97-100份，氧化钴0.31-0.38份，氧化铋0.25-0.32份，碳酸锰0.15-0.25份，氧化锡0.13-0.18份，氧化钇0.15-0.17份，氯化镧0.23-0.27份，氧化钐0.11-0.14份，将原料组分混合均匀后，加入到球磨机中，球磨混合；

（2）将3.4-3.9份的金属量子点复合物用100-150份无水乙醇进行均匀分散，然后将量子点复合物的分散液加入到上步的混合原料中，以270-300r/min的转速进行分散处理，分散处理时间为20-23min，分散处理结束后将无水乙醇蒸干，得到陶瓷基片原料；

（3）将陶瓷基片原料和聚乙烯醇按照13-15:1的质量比混合均匀，混合均匀后再进行造粒；

（4）将上步的颗粒物以110-120MPa的压力压制成坯型，送入到惰性气氛保护的高温烧结炉中进行高温烧结，烧结过程中首先进行排胶，然后以1250-1300℃的最高烧结温度进行烧结，得所需陶瓷基片；

（5）在得到的陶瓷基片上通过银浆印刷的方式形成电极，然后采用密封胶对形成电极后的电阻体进行封装，得到所需压敏电阻。

2.根据权利要求1所述的一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于：所述步骤（1）的原料组分中，氧化锌的粒径为0.4-0.6μm，其余组分的粒径为1-2μm。

3.根据权利要求1所述的一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的金属量子点复合物的制备方法为：

首先，按照质量份数，将2份醋酸铟，6份庚酸、75份十八碳烯加入到真空反应釜中，以115-118℃的温度保温反应1-1.3h，然后向反应釜内充入氦气气氛进行保护，并加入3份三(三甲基甲硅烷基)膦和6份癸基胺，以187-190℃的温度保温反应26-28min，反应结束后冷却至室温，过滤，用足量甲醇溶剂进行清洗，并离心、干燥得到沉淀物A；

接着，将4份乙酸锌，5份油酸和100份十八烷基胺加入到真空反应釜中，以117-120℃的温度反应15-20min，然后充入氦气气氛进行保护，并加入3份三辛基膦和10份量子点，以186-190℃的温度继续反应15-20min，然后将产物冷却至室温，过滤用足量甲醇溶剂进行清洗，并离心、干燥得到沉淀物B；

最后，将沉淀物A和沉淀物B混合加入到150份氯仿中分散均匀，然后向分散系中加入15份苯乙烯-马来酸酐共聚物和9份六亚甲基二胺，在60-65℃的温度下混合搅拌1-2h，并超声波处理15-17min，产物过滤后将沉淀物用足量甲醇溶剂进行清洗，干燥得到所需金属量子点复合物。

4.根据权利要求3所述的一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于：所述量子点为SnTe、InNP、AlNSb和ZnSe按照4:1:2:1的质量比混合的混合物，量子点的粒径为20-35nm。

5.根据权利要求4所述的一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于：所述混合物中的SnTe量子点，可由ZnSeTe、ZnSTe和CdZnTe量子点进行等量替代使用。

6.根据权利要求1所述的一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于：所述步骤（2）中无水乙醇分散剂蒸出过程中的蒸馏温度为80-82℃。

7.根据权利要求1所述的一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于：所述步骤（3）中陶瓷基片原料和聚乙烯醇的质量比为14:1。

8.根据权利要求1所述的一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于：所述步骤（4）中高温烧结炉的加热方式为电加热。