[发明专利]一种自发光式生物特征识别成像传感器及其制备方法在审
申请号: | 201810678546.0 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108878467A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 马东阁;杨德志;马远博 | 申请(专利权)人: | 马远博 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 于晓庆 |
地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介电层 制备 生物特征识别 胶水 纳米发光材料 成像传感器 对比度增强 固体绝缘 系数材料 自发光式 发光层 高介电 阳极层 衬底 无机电致发光材料 氧化铟锡导电薄膜 有机电致发光材料 指纹识别系统 无机量子点 发光材料 透明电极 银纳米线 透明 聚合物 识别率 轻薄 分辨率 炭黑 掺杂 复合 | ||
一种自发光式生物特征识别成像传感器及其制备方法,涉及生物特征识别领域,解决了现有指纹识别系统存在的识别率低、安全性低、不易于大面积制备、体积大、成本高的问题。本发明包括透明衬底;依次复合于透明衬底上的阳极层、发光层、对比度增强介电层和介电层;阳极层为氧化铟锡导电薄膜、PEDOT或银纳米线透明电极;发光层由聚合物胶水掺杂纳米发光材料混合而成;纳米发光材料为有机电致发光材料、无机电致发光材料和无机量子点发光材料中的一种或多种;对比度增强介电层由固体绝缘胶水、高介电系数材料和炭黑组成;介电层由固体绝缘胶水和高介电系数材料组成。本发明具有成本低、轻薄、分辨率高、易于大面积制备、安全可靠、寿命长。
技术领域
本发明涉及生物特征识别技术领域,具体涉及一种自发光式生物特征识别成像传感器及其制备方法。
背景技术
在当今信息化时代,如何准确鉴定一个人的身份、保护信息安全,已成为一个亟待解决的关键性社会问题。传统的身份认证由于极易伪造和丢失,越来越难以满足社会的需求。
目前,一般的身份认证主要采用指纹识别系统,例如:第一代指纹识别系统,是光学识别系统,应该属于第一代指纹识别技术。光学识别系统存在的主要问题是手指表面的干净程度直接影响指纹识别的最终效果。如果用户手指上粘了较多的灰尘或污物,可能会出现指纹识别错误的情况。并且,如果用户按照手指指纹制作一个指纹手模,也有可能通过识别系统,因此对于用户而言,这种光学识别系统使用起来不是很安全和稳定。在光学识别系统之后出现的是第二代电容式传感器,它是采用交替命令的并排列和传感器电板,交替板的形式是两个电容板,同时指纹的山谷和山脊作为板之间的电介质,通过两者之间的恒量电介质的传感器检测变化来生成指纹图像。但是由于传感器表面采用的是硅材料,容易损坏。另外,它是通过指纹的山谷和山脊之间的凹凸来形成指纹图像的,因此对脏手指、湿手指等很难准确识别,识别率较低,并且电容式传感器无法大面积制备。因此,人们在第二代电容式传感器的基础上研制出了一种第三代生物射频指纹识别技术(射频原理真皮指纹核心技术(线型采集器)),它是通过射频传感器本身发射出微量射频信号,穿透手指的表皮层去控测里层的纹路,最终来获得高质量的指纹图像。虽然射频传感器可以产生高质量的图像,但是生物射频指纹识别装置体积较大,难以满足小型化的要求,由于采用多种传感器,造价也较高,应用受限。
综上所述,现有的光学识别系统,对脏手成像模糊,并且存在安全性不高的问题;电容式传感器除了脏手、湿手等识别率低外,也不易于制成大面积来应用;生物射频指纹识别技术存在体积庞大、成本高的缺点。
发明内容
为了解决现有指纹识别系统存在的识别率低、安全性低、不易于大面积制备、体积大、成本高的问题,本发明提供一种自发光式生物特征识别成像传感器及其制备方法。
本发明为解决技术问题所采用的技术方案如下:
本发明的一种自发光式生物特征识别成像传感器,包括:
透明衬底;
复合于所述透明衬底上的阳极层;
复合于所述阳极层上的发光层;
复合于所述发光层上的对比度增强介电层;
复合于所述对比度增强介电层上的介电层;
所述阳极层为氧化铟锡导电薄膜、导电聚合物PEDOT或银纳米线透明电极;
所述发光层由聚合物胶水掺杂纳米发光材料混合而成,所述聚合物胶水与纳米发光材料的重量比为0.5~2;
所述纳米发光材料为有机电致发光材料、无机电致发光材料和无机量子点发光材料中的一种或多种;或者,所述纳米发光材料为钙钛矿发光材料;
所述对比度增强介电层由固体绝缘胶水、高介电系数材料和炭黑按照重量比为10:10:(1~2)的比例组成;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的