[发明专利]太阳能芯片组件的透光处理系统和透光处理方法

权利要求书

1.一种透光处理系统，用于处理太阳能芯片组件，其特征在于，所述透光处理系统包括：

油墨印刷单元，其构造为用紫外光UV油墨在芯片组件的上表面印制出设定图案，所述图案覆盖的地方形成UV油墨层，未被所述图案覆盖的地方形成镂空，所述芯片组件包括透明衬底和叠置于所述透明衬底的上表面的芯片层；

固化单元，其构造为用UV光对所述芯片组件上印制的所述UV油墨进行固化，以形成UV油墨保护膜；以及

除层单元，其构造为去除所述芯片组件上未被所述UV油墨保护膜覆盖的部分处的芯片层。

2.根据权利要求1所述的透光处理系统，其特征在于，所述透光处理系统还包括传输线，所述传输线构造为顺序地传输所述芯片组件经过所述油墨印刷单元、所述固化单元和所述除层单元。

3.根据权利要求1所述的透光处理系统，其特征在于，所述除层单元包括喷砂设备，所述喷砂设备构造为对形成有所述UV油墨保护膜的所述芯片组件的上表面进行喷砂处理，以去除所述芯片组件上未被所述UV油墨保护膜覆盖的部分处的芯片层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的透光处理系统，其特征在于，所述油墨印刷单元包括丝网印刷设备，所述丝网印刷设备采用聚酯丝网作为网版。

5.根据权利要求4所述的透光处理系统，其特征在于，所述油墨印刷单元还包括电荷耦合器件CCD影像定位设备，所述CCD影像定位设备构造为对所述网版与所述芯片组件进行定位。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的透光处理系统，其特征在于，所述透光处理系统还包括化学清洗单元，所述化学清洗单元构造为对经所述除层单元处理后的所述芯片组件进行化学清洗，脱除所述芯片组件上形成的所述UV油墨保护膜。

7.一种太阳能芯片组件透光处理的方法，其特征在于，所述透光处理方法包括以下步骤：

a.用UV油墨在芯片组件的上表面印制出设定图案，所述图案覆盖的地方形成UV油墨层，未被所述图案覆盖的地方形成镂空，所述芯片组件包括透明衬底和叠置于所述透明衬底的上表面的芯片层；

b.用UV光对所述芯片组件上印制的所述UV油墨进行固化，以形成UV油墨保护膜；以及

c.去除所述芯片组件上未被所述UV油墨保护膜覆盖的部分处的芯片层。

8.根据权利要求7所述的透光处理方法，其特征在于，所述步骤c包括：对形成有所述UV油墨保护膜的所述芯片组件的上表面进行喷砂处理，以去除所述芯片组件上未被所述UV油墨保护膜覆盖的部分处的芯片层。

9.根据权利要求8所述的透光处理方法，其特征在于，所述喷砂处理所采用的喷砂颗粒为300至350目的白刚玉，喷砂压力为3至4巴，实施所述喷砂处理的喷砂设备的喷嘴直径为8mm。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的透光处理方法，其特征在于，所述步骤a包括：采用丝网印刷技术，以聚酯丝网作为网版，通过一次印刷成形的方式印制所述UV油墨的图案，并且印制出的所述UV油墨的图案的厚度为60至70μm。

11.根据权利要求10所述的透光处理方法，其特征在于，在所述步骤a之前，所述透光处理方法还包括：利用CCD影像定位设备对所述网版与所述芯片组件进行定位。

12.根据权利要求7至9中任一项所述的透光处理方法，其特征在于，在所述步骤c之后，所述透光处理方法还包括：对所述芯片组件进行化学清洗，脱除所述芯片组件上形成的所述UV油墨保护膜。

13.根据权利要求12所述的透光处理方法，其特征在于，脱除所述UV油墨保护膜所采用的化学清洗试剂为浓度0.3％至0.5％的KOH或0.3％至0.5％的NaOH溶液，脱除所述UV油墨保护膜的脱膜时间为120秒至130秒。

14.根据权利要求7至9中任一项所述的透光处理方法，其特征在于，所述步骤b包括：采用光强为800mJ/cm²至1500mJ/cm²的UV光对所述UV油墨进行固化，固化时间为30秒至90秒。