[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阴极与所述量子点发光层之间还设置有具有高低结结构的空穴阻挡层；所述空穴阻挡层包括第一掺杂的n型半导体材料和第二掺杂的n型半导体材料，且所述第一掺杂的n型半导体材料和所述第二掺杂的n型半导体材料的掺杂浓度不同。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂的n型半导体材料和所述第二掺杂的n型半导体材料分别独立选自掺杂的n型ZnO、掺杂的n型TiO₂、掺杂的n型SnO₂中的任意一种。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂的n型半导体材料与所述第二掺杂的n型半导体材料的掺杂浓度比为1：（10-50）；和/或

所述第一掺杂的n型半导体材料与所述第二掺杂的n型半导体材料的质量比为（10-50）：1。

4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层的厚度为10-30nm。

5.如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴功能层；和/或

所述空穴阻挡层和所述阴极之间设置有电子功能层。

6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供可形成高低结结构的原材料，所述原材料包括第一掺杂的n型半导体材料和第二掺杂的n型半导体材料，且所述第一掺杂的n型半导体材料和所述第二掺杂的n型半导体材料的掺杂浓度不同；

将所述原材料溶于溶剂中，得到混合溶液；

将所述混合溶液沉积在阴极或量子点发光层上，得到具有高低结结构的空穴阻挡层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂的n型半导体材料和所述第二掺杂的n型半导体材料分别独立选自掺杂的n型ZnO、掺杂的n型TiO₂、掺杂的n型SnO₂中的任意一种。

8.如权利要求6-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自正辛烷、异辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰 胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺和二苯醚中的至少一种。