[发明专利]一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管有效
| 申请号： | 201810678927.9 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108831932B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;李茂林;施宜军;崔兴涛;信亚杰;李佳;刘超;周琦;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/207;H01L29/205 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 横向 mis 肖特基 混合 阳极 二极管 | ||
1.一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和AlGaN层(3)；所述AlGaN层(3)的Al摩尔组分从AlGaN层(3)底部到顶部逐渐增大，AlGaN层(3)与GaN层(2)形成异质结；在器件上层两端还分别具有阴极结构和MIS-肖特基混合阳极结构；所述阴极结构为在异质结上层形成欧姆接触的第一金属(6)；所述MIS-肖特基混合阳极结构包括金属-绝缘层-半导体结构和肖特基结构，所述肖特基结构为在异质结上层形成肖特基接触的第二金属(7)，所述金属-绝缘层-半导体结构包括一个刻蚀部分AlGaN层(3)的凹槽，凹槽底部和侧面覆盖一层绝缘介质(5)，绝缘介质(5)上方覆盖金属电极(8)，该金属电极(8)与第二金属(7)之间进行电气连接，两者之间保持相同电位；在所述AlGaN层(3)上表面淀积SiN层(4)形成钝化层；在所述钝化层上生长有绝缘介质(5)，部分绝缘介质(5)沿SiN层(4)和金属电极(8)之间的侧面延伸至AlGaN层(3)上表面构成MIS结构的绝缘层；AlGaN层(3)中Al、Ga、N的组分分别为x、1-x、1，从AlGaN层(3)底部到顶部Al组分x由0到0.5渐变。
2.根据权利要求1所述的氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管，其特征在于，AlGaN层(3)的厚度为5nm到12nm。
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