[发明专利]一种基于共振遂穿二极管的太赫兹振荡电路及振荡器在审
| 申请号： | 201810680261.0 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108566164A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张翠;丁庆;杨旻蔚 | 申请（专利权）人： | 深圳市太赫兹科技创新研究院;深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/20 | 分类号： | H03B5/20;H03B5/04 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 共振 振荡电路 太赫兹辐射源 负阻 低频振荡信号 太赫兹辐射 产生振荡 低温冷却 工作偏压 寄生电容 寄生电阻 旁路分流 器件寿命 驱动负载 振荡信号 振荡器 电容 振荡 电阻 功耗 寄生 过滤 辐射 应用 | ||
1.一种基于共振遂穿二极管的太赫兹振荡电路，与工作电压源连接，其特征在于，所述太赫兹振荡电路包括：第一电阻、第一电容、第一电感以及用于提供负阻的共振遂穿二极管；
所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端以及所述第一电感的第一端共接于所述工作电压源的正极端，所述第一电阻的第二端以及所述第一电容的第二端共接于所述工作电压源的负极端，所述共振遂穿二极管的第一端与所述第一电感的第二端连接，所述共振遂穿二极管的第二端与所述工作电压源的负极端连接。
2.如权利要求1所述的太赫兹振荡电路，其特征在于，所述共振遂穿二极管为InP基的晶圆层结构。
3.如权利要求2所述的太赫兹振荡电路，其特征在于，所述共振遂穿二极管包括层叠设置的第一电极层、收集层、双势垒量子阱结构、发射层以及第二电极层，其特征在于，所述双势垒量子阱结构包括依次层叠设置的第一AlAs势垒层、第一InGaAs势阱层；
所述第一AlAs势垒层靠近所述收集层，所述第二AlAs势垒层靠近所述发射层。
4.如权利要求3所述的太赫兹振荡电路，其特征在于，所述收集层与所述双势垒量子阱结构之间设置有第一间隔层，所述发射层与所述双势垒量子阱结构之间设置有第二间隔层。
5.如权利要求3所述的太赫兹振荡电路，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层均包括层叠设置的金属钛层、金属钯层以及金属金层。
6.一种基于共振遂穿二极管的振荡器，其特征在于，所述振荡器包括如权利要求2-5任一项所述的太赫兹振荡电路，所述太赫兹振荡电路形成于介质基片上，所述振荡器还包括与所述太赫兹振荡电路连接的天线。
7.如权利要求5所述的振荡器，其特征在于，所述振荡器还包括形成于所述介质基片上的共面波导。
8.如权利要求6所述的振荡器，其特征在于，所述第一电感由所述共面波导中的短路共面波导形成。
9.如权利要求6所述的振荡器，其特征在于，所述第一电阻由在所述共面波导上沉积镍铬合金形成。
10.如权利要求6所述的振荡器，其特征在于，所述第一电容由在所述介质基片上依次沉积第一金属层、第一绝缘体层以及第二金属层形成。
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