[发明专利]Ge-Se-Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法

权利要求书

1.一种用于1S1R相变存储器单元的Ge-Se-Sb复合材料，其特征在于：所述Ge-Se-Sb复合材料的化学通式为Ge_xSe_ySb_100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足20<x<60，20<y<100-x。

2.根据权利要求1所述的用于1S1R相变存储器单元的Ge-Se-Sb复合材料，其特征在于：所述Ge_xSe_ySb_100-x-y中，满足x:y＝1:1，且作为选通器材料介质时，Sb元素的原子百分比满足0<100-x-y<20，当作为存储材料介质时，Sb元素的原子百分比满足30<100-x-y<60。

3.根据权利要求2所述的用于1S1R相变存储器单元的Ge-Se-Sb复合材料，其特征在于：所述Ge_xSe_ySb_100-x-y中，当作为选通器材料介质时，Sb的原子百分比满足5<100-x-y<15，当作为存储材料介质时，Sb的原子百分比满足35<100-x-y<55。

4.一种1S1R相变存储器单元，其特征在于：所述1S1R相变存储器单元包括下电极层、中间电极层、上电极层及位于所述下电极层和所述中间电极层之间的阈值转变材料层和所述中间电极层和上电极层之间的相变存储材料层；所述阈值转变材料层和所述相变存储材料层采用Ge-Se-Sb复合材料，所述Ge-Se-Sb复合材料的化学通式为Ge_xSe_ySb_100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足20<x<60，20<y<100-x，其中，所述阈值转变材料层中，Sb元素的原子百分比满足0<100-x-y<20，所述相变存储材料层中，Sb元素的原子百分比满足30<100-x-y<60。

5.根据权利要求4所述的1S1R相变存储器单元，其特征在于：所述Ge_xSe_ySb_100-x-y中，所述阈值转变材料层中，Sb元素的原子百分比满足5<100-x-y<15，所述相变存储材料层中，Sb元素的原子百分比满足35<100-x-y<55。

6.根据权利要求4所述的1S1R相变存储器单元，其特征在于：所述下电极层的材料包括：单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意一种，或由单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意两种或多种组合成的合金材料，或为单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意一种的氮化物或氧化物。

7.根据权利要求4所述的1S1R相变存储器单元，其特征在于：所述中间电极层的材料包括：单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意一种，或由单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意两种或多种组合成的合金材料，或为单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意一种的氮化物或氧化物。

8.根据权利要求4所述的1S1R相变存储器单元，其特征在于：所述上电极层的材料包括：单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意一种，或由单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意两种或多种组合成的合金材料，或为单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu及Ni中的任意一种的氮化物或氧化物。