[发明专利]切割带一体型粘接性片在审
| 申请号： | 201810680930.4 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148350A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 木村龙一;志贺豪士;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J7/24 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粘接性 切割带 一体型 半导体芯片 粘合剂层 割断 半导体晶圆 断裂伸长率 粘接性薄膜 背面保护 层叠结构 拉伸试验 载荷增加 单片化 试验片 基材 卡盘 密合 薄膜 断裂 剥离 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割带一体型粘接性片，其具备：
具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；及
以能剥离的方式与所述切割带的所述粘合剂层密合的粘接性片，
所述粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。
2.根据权利要求1所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片具有包含与所述切割带的所述粘合剂层密合的第1层和该第1层上的第2层的层叠结构。
3.根据权利要求2所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述第1层的厚度相对于所述第2层的厚度的比值为0.2～4。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片为背面保护薄膜。
5.根据权利要求2或3所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片为背面保护薄膜，所述第1层具有热固性。
6.根据权利要求5所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述第2层显示出热塑性。
7.根据权利要求2或3所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片为背面保护薄膜，所述第2层显示出热塑性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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