[发明专利]一种频率带宽可调的电磁二维可重构滤波器

权利要求书

1.一种频率和带宽可调的电磁二维可重构滤波器，包括实现基片集成波导的介质基板2，在介质基板2的下表面覆盖有第一金属覆铜层1，在介质基板2的上表面覆盖有第二金属覆铜层3；所述介质基板2上设置有贯穿于第一金属覆铜层1、介质基板2和第二金属覆铜层3的金属化通孔阵列4；

所述金属化通孔阵列4与第一金属覆铜层1和第二金属覆铜层3共同围成相连的第一谐振腔5和第二谐振腔6，所述第一谐振腔5和第二谐振腔6均为矩形基片集成波导谐振腔，并通过感性耦合窗7相互耦合；

所述感性耦合窗7的中心位置设置有一个通孔，所述通孔设置于介质基板2中，通孔中放置有铁氧体11，所述铁氧体11的形状与其所处通孔的形状吻合，厚度与介质基板2厚度相同；

所述第一谐振腔5和第二谐振腔6的中部分别设置有一个微扰金属化通孔8，所述微扰金属化通孔8贯穿于第一金属覆铜层1、介质基板2和第二金属覆铜层3；

所述第二金属覆铜层3上设置有两个环形槽9，所述两个环形槽9分别位于第一谐振腔5和第二谐振腔6的中部，在所述两个环形槽上分别设置有一个可调电容10；所述可调电容10的一端与环形槽9外侧的第二金属覆铜层3连接，其另一端与所述环形槽9内侧的第二金属覆铜层3连接并通过微扰金属化通孔8连接到第一金属覆铜层1。

2.如权利要求1所述的一种频率和带宽可调的电磁二维可重构滤波器，其特征在于：所述第二金属覆铜层3上设置有输入输出端口，所述输入输出端口均采用共面波导12与微带馈线13相连接的结构，所述微带馈线13的特征阻抗为50欧姆；所述的输入输出端口均位于其所处腔体侧壁的中点处，并且呈左右镜像对称分布；在共面波导12伸入第一谐振腔5和第二谐振腔6内部一端的末端和共面波导12上分别设置有第一槽线14和第二槽线15，在第二槽线15上设置有一个可调电容16，可调电容16的一端与槽线15外侧的共面波导12连接，其另一端与槽线15内侧的共面波导12连接并通过第二微扰金属化通孔17连接到第一金属覆铜层1，所述第二金属化通孔17贯穿于第一金属覆铜层1、介质基板2和第二金属覆铜层3。

3.如权利要求1所述的一种频率和带宽可调的电磁二维可重构滤波器，其特征在于：所述金属化通孔阵列4由圆柱体或长方体金属化通孔组成。

4.如权利要求1所述的一种频率和带宽可调的电磁二维可重构滤波器，其特征在于：所述微扰金属化通孔8和第二微扰金属化通孔17为圆柱体或长方体金属化通孔。

5.如权利要求1所述的一种频率和带宽可调的电磁二维可重构滤波器，其特征在于：所述环形槽9为圆形、正方形或长方形环形槽。

6.如权利要求2所述的一种频率和带宽可调的电磁二维可重构滤波器，其特征在于：所述位于感性耦合窗7中心位置处的通孔形状为矩形或者圆形。

7.如权利要求2所述的一种频率和带宽可调的电磁二维可重构滤波器，其特征在于：所述可调电容10和16为变容二极管或者RF MEMS可变电容。

8.如权利要求1所述的一种频率和带宽可调的电磁二维可重构滤波器，其特征在于：所述铁氧体11的上表面和下表面均覆盖有铜皮，位于铁氧体11下表面的铜皮与第一金属覆铜层1相连，位于铁氧体11上表面的铜皮与第二金属覆铜层3相连。