[发明专利]检查方法、光刻设备、掩模以及衬底

权利要求书

1.一种获得与光刻过程有关的焦距信息的方法，所述方法包括：

照射第一目标，所述第一目标包括交替的第一结构和第二结构，所述第二结构的形式是依赖于焦距的，使得所述第二结构的形式依赖于用于形成所述第一目标的图案化的束的焦距，并且所述第一结构的形式与所述第二结构不具有相同的焦距依赖性，其中使用图案形成装置来产生所述图案化的束，所述图案形成装置包括用于形成所述第一结构的第一结构特征和用于形成所述第二结构的第二结构特征，所述第二结构特征包括用于形成低分辨率子结构的低分辨率子结构特征；以及所述第二结构特征包括用于形成高分辨率子结构的高分辨率子结构特征，并且所述高分辨率子结构包括平行于所述低分辨率子结构布置的多个伸长高分辨率子结构；以及

检测由所述第一目标散射的辐射，以针对所述第一目标获得表示所述第一目标的整体非对称性的非对称性测量，所述非对称性测量指示形成所述第一目标时所述图案化的束的所述焦距。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述高分辨率子结构包括高分辨率子结构的二维阵列。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述高分辨率子结构包括具有不同线宽的高分辨率子结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述高分辨率子结构以从所述低分辨率子结构减少线宽的顺序设置。

5.根据权利要求1-2和4中任一项所述的方法，其中所述第一结构的所述形式对形成所述第一目标时的所述图案化的束的所述焦距不具有刻意的依赖性。

6.根据权利要求1-2和4中任一项所述的方法，其中所述第一结构的所述形式依赖于形成所述第一目标时的所述图案化的束的所述焦距，所述焦距依赖性不同于所述第二结构的所述焦距依赖性。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述焦距依赖性对于所述第一结构和所述第二结构不同，使得焦距偏移引起所述第一结构和所述第二结构的重心的沿相反方向的偏移。

8.根据权利要求1-2、4和7中任一项所述的方法，其中图案形成装置用于产生所述图案化的束，所述图案形成装置包括用于形成所述第一结构的第一结构特征和用于形成所述第二结构的第二结构特征，其中：

所述第一结构特征也包括用于形成低分辨率子结构的低分辨率子结构特征；以及

在所述第一结构的所述形式依赖于焦距的情况下，所述第一结构特征也包括用于形成高分辨率子结构的高分辨率子结构特征，使得所述第一目标中的高分辨率子结构的数量和/或尺寸依赖于形成所述第一目标时的所述图案化的束的所述焦距。

9.根据权利要求1-2、4和7中任一项所述的方法，其中所述低分辨率子结构的线宽在10nm至50nm之间，大于所述高分辨率子结构的线宽。

10.根据权利要求1-2、4和7中任一项所述的方法，其中所述图案形成装置包括掩模效应特征，所述掩模效应特征引起三维掩模效应，使得所述第一目标以最佳焦距形成，所述最佳焦距与用于所述图案形成装置上的产品特征的最佳焦距偏移。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述掩模效应特征包括所述高分辨率子结构中的一个或多个。

12.根据权利要求1-2、4、7和11中任一项所述的方法，其中所述第一目标被配置为使得所述非对称性测量包括由所述第一结构与所述第二结构之间的重心偏移造成的第一非对称性分量和由所述第二结构的分布的非对称性造成的第二非对称性分量，并且其中所述第一目标以最佳焦距形成，所述最佳焦距与用于所述图案形成装置上的产品特征的最佳焦距偏移，所述最佳焦距偏移源自所述第二非对称性分量。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括借助所述第一结构和所述第二结构的相对位置和所述第二结构分布的变化来优化所述最佳焦距偏移。