[发明专利]氮化铝陶瓷及其制备方法、静电卡盘和应用

权利要求书

1.一种氮化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将原料混合得到混合料，其中，所述原料包括氮化铝粉和助烧剂，按照质量百分含量计，所述氮化铝粉包括70％～80％的中位粒径为0.5微米～2微米的第一氮化铝颗粒和20％～30％的中位粒径为6微米～8微米的第二氮化铝颗粒；

将所述混合料成型，得到坯体；及

将所述坯体在还原气氛中烧结，得到氮化铝陶瓷。

2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述还原气氛由还原性气体和保护气体混合形成，所述还原性气体和所述保护气体的质量比为10～30:70～90。

3.根据权利要求2所述的氮化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述还原性气体选自一氧化碳及氢气中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述助烧剂选自氧化锂、氧化钠、氧化镁、五氧化二铌及氧化钙中的至少一种；及/或，所述助烧剂与所述氮化铝粉的质量比为1:100～6:100。

5.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将原料混合得到混合料的步骤包括：将所述助烧剂和所述氮化铝粉通过干法球磨混合，再经干燥，过300目筛～400目筛，得到所述混合料。

6.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将所述坯体在还原气氛中烧结的方法为微波烧结；及/或，所述将所述坯体在还原气氛中烧结的烧结温度为1600℃～1800℃。

7.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述第一氮化铝颗粒和所述第二氮化铝颗粒均为球形。

8.一种氮化铝陶瓷，其特征在于，由权利要求1～7任一项所述的氮化铝陶瓷的制备方法制备得到。

9.一种静电卡盘，其特征在于，由权利要求8所述的氮化铝陶瓷加工处理得到。

10.权利要求9所述的静电卡盘在晶圆的加工处理中的应用。