[发明专利]外延片的制备方法及肖特基二极管

权利要求书

1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上表面生长重掺杂外延层；

在所述重掺杂外延层上表面生长轻掺杂外延层；

在所述轻掺杂外延层中制备凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂外延层的厚度；

在制备凹槽后的轻掺杂外延层上表面生长二次外延层，所述二次外延层填充所述凹槽，且所述二次外延层的厚度大于所述凹槽的深度。

2.如权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，还包括：将所述二次外延层进行平坦化处理。

3.如权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，所述在所述轻掺杂外延层中制备凹槽，包括：

在所述轻掺杂外延层上表面涂覆光刻胶，经曝光、显影处理后，露出凹槽所在区域的轻掺杂外延层；

对所述轻掺杂外延层进行湿法腐蚀、干法腐蚀或刻蚀处理，去除凹槽所在区域的二次外延层；

去除所述光刻胶。

4.如权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述轻掺杂外延层厚度的1/5，且小于所述轻掺杂外延层的4/5。

5.如权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，所述凹槽的形状为矩形、圆形、椭圆形和三角锥形中的任意一种或多种。

6.如权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，所述重掺杂外延层的掺杂浓度范围为10¹⁸/cm³至5×10¹⁸/cm³，所述轻掺杂外延层的掺杂浓度范围为10¹⁵/cm³至10¹⁸/cm³，所述二次延层的掺杂浓度范围为10¹⁶/cm³至10¹⁸/cm³，且所述二次外延层的掺杂浓度与所述轻掺杂外延层的掺杂浓度不同。

7.如权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，所述重掺杂外延层的厚度大于0.5微米，所述轻掺杂外延层的厚度大于0.1微米，所述二次外延层的厚度小于所述轻掺杂外延层的厚度。

8.一种外延片，其特征在于，所述外延片通过如权利要求1至7任一项所述的外延片的制备方法制备得到。

9.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管在如权利要求8所述的外延片上制备得到。

10.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：如权利要求1至7任一项所述的外延片的制备方法；

还包括：

去除所述外延片的二次外延层和轻掺杂外延层，露出阴极电极所在区域的重掺杂外延层和阳极焊盘所在区域的重掺杂外延层，并在露出的重掺杂外延层的上表面分别制备阴极电极和阳极焊盘；

制备隔离所述阴极电极和所述阳极焊盘的隔离沟槽；

在所述二次外延层上表面生长介质层，露出阳极电极所在的区域的二次外延层，并在露出的二次外延层的上表面制备阳极电极；

制备连接所述阳极电极和所述阳极焊盘的阳极空气桥。