[发明专利]用于清洗半导体晶片的方法和设备

权利要求书

1.一种用于清洗工艺中晶片的方法，包括：

使所述工艺中晶片旋转；

使功能水施加至旋转的所述工艺中晶片的表面，以在旋转的所述工艺中晶片上产生流动的功能水膜；

使所述工艺中晶片的所述表面由超声波装置清洗达第一时段，其中所述工艺中晶片在所述第一时段的转速在10rpm至50rpm之间；

使所述超声波装置升起和/或使旋转的所述工艺中晶片的旋转速度加速，以将所述超声波装置与所述流动的功能水膜分离；

在将所述超声波装置与所述功能水膜分离之后，使包括用于增加颗粒的ζ电位的物质的所述功能水施加至旋转的所述工艺中晶片的所述表面达第二时段，其中所述工艺中晶片在所述第二时段的转速为300rpm至1000rpm之间；以及

使所述工艺中晶片的所述表面干燥。

2.根据权利要求1所述的方法，其中使旋转的所述工艺中晶片的所述旋转速度加速包括：使旋转的所述工艺中晶片的所述旋转速度从低于50rpm增加至高于300rpm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述功能水包括FWN₂、FWH₂、FWO₂、臭氧化去离子水(DIO₃)、FOM、SC1、DSP和四甲基氢氧化铵中的至少一种，其中所述FWN₂表示溶解N₂的功能水溶液，所述FWH₂表示溶解H₂的功能水溶液，所述FWO₂表示溶解O₂的功能水溶液，所述FOM表示臭氧化的去离子水和氢氟酸的溶液，所述SC1表示标准清洗化学品1，并且所述DSP表示稀释的硫酸过氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一时段大于20秒，并且所述第二时段大于2秒。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一时段大于30秒，并且所述第二时段大于4秒。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使所述工艺中晶片的所述表面干燥包括：

在以第二速度旋转所述工艺中晶片时，使所述工艺中晶片的所述表面由非反应性气体吹扫。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述非反应性气体包括N₂、异丙醇(IPA)和惰性气体中的至少一种，并且其中所述第二速度大于1000rpm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述超声波装置被配置为以在10W至100W之间的功率操作，并且所述超声波装置包括谐振器，所述谐振器在所述谐振器与旋转的所述工艺中晶片的所述表面之间形成间隙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述超声波装置被配置为以在20W和50W之间的功率操作，并且所述间隙是可变的。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述功能水在所述第一时段和所述第二时段期间以在1lpm和3lpm之间的流速施加。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述功能水在所述第一时段和所述第二时段期间以在1.2lpm和2lpm之间的流速施加。

12.根据权利要求1所述的方法，其中旋转的所述工艺中晶片在所述第一时段期间以在25rpm至35rpm之间的第一速度旋转，并且旋转的所述工艺中晶片在所述第二时段期间以在500rpm至700rpm之间的第三速度旋转。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在使所述功能水施加至旋转的所述工艺中晶片的所述表面之前，使去离子水施加至旋转的所述工艺中晶片的所述表面达第三时段；以及

在所述第二时段之后使所述去离子水施加至旋转的所述工艺中晶片的所述表面达第四时段。