[发明专利]具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板及制备方法

权利要求书

1.一种具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板，其特征在于：包括第一铜箔层和芯层，所述芯层包括若干高分子聚合物薄膜层和若干介电胶层，相邻的高分子聚合物薄膜层与介电胶层叠合，所述第一铜箔层位于所述芯层的最外侧的介电胶层的表面，所述介电胶层包括第一介电胶层和第二介电胶层中的至少一种，所述第一介电胶层是指Dk值6-30且Df值0.002-0.020的胶层，所述第二介电胶层是指Dk值15-100且Df值0.002-0.020的胶层，且所述第二介电胶层的Dk值大于所述第一介电胶层的Dk值；所述芯层是指Dk值6-100且Df值0.002-0.020的芯层；

所述芯层的总厚度Z符合下式关系式：

Z＝nX+mY+oW

关系式中，n表示所述高分子聚合物薄膜层的层数；m表示所述第一介电胶层的层数；o表示所述第二介电胶层的层数；X表示所述高分子聚合物薄膜层的厚度，Y表示所述第一介电胶层的厚度，W表示所述第二介电胶层的厚度，且X、Y和W值根据特定Z值而定。

2.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板，其特征在于：所述第一介电胶层和所述第二介电胶层的厚度均为5-75μm；所述高分子聚合物薄膜层的厚度为5-200μm；所述芯层的总厚度为1-20mil。

3.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板，其特征在于：所述介电胶层为所述第一介电胶层，所述芯层由若干所述第一介电胶层和若干所述高分子聚合物薄膜层组成，所述第一介电胶层与所述高分子聚合物薄膜层间隔设置，且所述第一介电胶层位于所述芯层的最外侧。

4.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板，其特征在于：所述介电胶层由所述第一介电胶层和所述第二介电胶层组成，所述芯层由若干所述第一介电胶层、若干所述第二介电胶层以及若干所述高分子聚合物薄膜层组成，所述第一介电胶层或所述第二介电胶层与高分子聚合物薄膜层间隔设置，且所述第一介电胶层位于所述芯层的最外侧。

5.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板，其特征在于：所述高频基板为下列两种结构中的一种：

第一种、所述高频基板为单面带胶覆铜基板，所述单面带胶覆铜基板包括离型层，所述芯层位于所述第一铜箔层和离型层之间；

第二种、所述高频基板为双面覆铜基板，所述双面覆铜基板包括第二铜箔层，所述芯层位于所述第一铜箔层和第二铜箔层之间。

6.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板，其特征在于：所述第一介电胶层和所述第二介电胶层皆包括组分A和组分B中的至少一种；所述组分A的比例之和为介电胶层的总固含量的5-98％(重量百分比),所述组分B为介电胶层的总固含量的5-80％(重量百分比)；

所述组分A包括烧结二氧化硅、强介电性陶瓷粉体、导电性粉体、铁氟龙、氟系树脂和磷系耐燃剂中的至少一种；

所述组分B包括高分子聚合物树脂和高分子树脂中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的具有高Dk和低Df特性的复合式高频基板，其特征在于：所述强介电性陶瓷粉体为BaTiO₃、SrTiO₃和Ba(Sr)TiO₃中的至少一种；其中强介电性陶瓷粉体比例之和为介电胶层的总固含量的0-90％(重量百分比)；

所述导电性粉体为过渡金属粉体、过渡金属的合金粉体、碳黑、碳纤维和金属氧化物中的至少一种，其中导电性粉体的比例之和为介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)。